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本发明提供一种金氧半导体模块，包含：半导体基板，及多个形成于半导体基板的金氧半导体组件，金氧半导体组件以至少一沟槽彼此间隔。每一个金氧半导体组件包括形成于半导体基板的重掺杂半导体层、形成于重掺杂半导体层的磊晶层、定义于磊晶层内，以裸露重掺杂...该专利属于聚积科技股份有限公司;力士科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚积科技股份有限公司;力士科技股份有限公司授权不得商用。