半导体结构制造技术

一种半导体结构。半导体结构包括基底和在基底上的栅极结构，其中栅极结构可包括两侧间隔物，形成在两侧间隔物侧面上的介电层，以及形成在介电层上的栅极金属堆叠。栅极金属堆叠的顶面可在介电层的顶面之下。半导体结构的优点之一为改善在集成电路中的紧密节距晶体管的结构完整性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例涉及半导体结构及其形成方法，尤其涉及栅极结构的形成。
技术介绍
在半导体技术中的推进增加了具有较高储存容量、更快处理系统以及较低成本的半导体元件的需求。为了符合这些需求半导体产业持续缩小半导体元件的尺寸，如金属氧化物半导体场效晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,MOSFET)，包括平面金属氧化物半导体场效晶体管、鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor,finFET)以及纳米片(nano-sheet)场效晶体管。如此的缩小增加了半导体制造过程的复杂度。
技术实现思路
本公开实施例的目的在于提供一种能够改善在集成电路中的紧密节距晶体管结构完整性的半导体结构。为实现上述目的，本公开实施例采用如下技术方案：根据本公开实施例的一个方面，提供一种半导体结构，包括基底以及栅极结构。栅极结构于基底上，其中栅极结构包括两侧间隔物、介电层以及栅极金属堆叠。介电层形成于两侧间隔物的侧面上；栅极金属堆叠形成于介电层上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一基底；以及/n一栅极结构，于该基底上，其中该栅极结构包括：/n两侧间隔物；/n一介电层，形成于该两侧间隔物的侧面上；以及/n一栅极金属堆叠，形成于该介电层上，其中该栅极金属堆叠的顶面在该介电层的顶面之下。/n

【技术特征摘要】
20191008 US 16/596,0091.一种半导体结构，包括：
一基底；以及
一栅极结构，于该基底上，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏焕杰，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71