具有突变掺杂剂分布的高纵横比的源极或漏极结构制造技术

具有突变掺杂剂分布的高纵横比的源极或漏极结构。描述了具有带有突变掺杂剂分布的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括水平纳米线的垂直布置。栅极叠层在水平纳米线的垂直布置周围。第一外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第一端。第二外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第二端。第一和第二外延源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度大体上与砷的原子浓度相同。

【技术实现步骤摘要】
具有突变掺杂剂分布的高纵横比的源极或漏极结构
本公开的实施例在高级集成电路结构制造的领域中，并且特别地，在具有带有突变掺杂剂分布的源极或漏极结构的集成电路结构的领域中。
技术介绍
在过去的几十年内，集成电路中特征的缩放已经是日益增长的半导体产业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得在半导体芯片的有限基板面上功能单元的增加密度。例如，收缩晶体管大小允许在芯片上并入增加数量的存储器或逻辑器件，从而有助于具有增加容量的产品的制造。然而，对于持续更大的容量的追求并非没有问题。优化每个器件性能的必要性变得愈发重要。在集成电路器件的制造中，随着器件尺寸继续缩减，诸如三栅极晶体管之类的多栅极晶体管已经变得更普遍。在常规过程中，通常将三栅极晶体管制造在体硅衬底或绝缘体上硅衬底上。在某些情况下，体硅衬底是优选的，由于它们的较低成本，并且因为它们使能实现不太复杂的三栅极制造过程。在另一方面，当微电子器件尺寸缩放到10纳米（nm）节点以下时，维持迁移率改进和短沟道控制在器件制造中提供了挑战。用于制造器件的纳米线提供了改进的短沟道控制。r>然而，缩放多栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：/n水平纳米线的垂直布置；/n在水平纳米线的垂直布置周围的栅极叠层；/n在水平纳米线的垂直布置的第一端的第一外延源极或漏极结构；和/n在水平纳米线的垂直布置的第二端的第二外延源极或漏极结构，第一和第二外延源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度大体上与砷的原子浓度相同。/n

【技术特征摘要】
20190924 US 16/5809411.一种集成电路结构，包括：
水平纳米线的垂直布置；
在水平纳米线的垂直布置周围的栅极叠层；
在水平纳米线的垂直布置的第一端的第一外延源极或漏极结构；和
在水平纳米线的垂直布置的第二端的第二外延源极或漏极结构，第一和第二外延源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度大体上与砷的原子浓度相同。


2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中磷的原子浓度大于1E20原子/cm3，并且砷的原子浓度大于5E19原子/cm3。


3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中第一和第二外延源极或漏极结构具有大体上与砷的深度相同的磷的深度。


4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中磷的深度在砷的深度的近似1纳米之内。


5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中第一和第二源极或漏极结构具有小于近似0.35mOhm·cm的电阻率。


6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，进一步包括：
相应地沿着栅极叠层的第一和第二侧的第一和第二介电栅极侧壁间隔物。


7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，进一步包括：
在第一外延源极或漏极结构上的第一导电触头；和
在第二外延源极或漏极结构上的第二导电触头。


8.一种集成电路结构，包括：
水平纳米线的垂直布置；
在水平纳米线的垂直布置周围的栅极叠层；
在水平纳米线的垂直布置的第一端的第一外延源极或漏极结构，第一外延源极或漏极结构具有横向延伸超过水平纳米线的垂直布置的第一部分，并且具有在水平纳米线的垂直布置上方垂直延伸的第二部分，第二部分具有大于第一部分的水平厚度的垂直厚度；和
在水平纳米线的垂直布置的第二端的第二外延源极或漏极结构，第二外延源极或漏极结构具有横向延伸超过水平纳米线的垂直布置的第一部分，并且具有在水平纳米线的垂直布置上方垂直延伸的第二部分，第二部分具有大于第一部分的水平厚度的垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：R基奇，AS墨菲，NG米努蒂洛，S维什瓦纳思，M哈桑，B古哈，S拉费克，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US