半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构，包括：晶体管，包括第一源极/漏极区；源极/漏极接触插塞，位于所述第一源极/漏极区上方，并且与所述第一源极/漏极区电连接；以及通孔，位于所述源极/漏极接触插塞上方，并且与所述源极/漏极接触插塞接触。所述通孔包括：底部，具有第一长度；以及上部，具有第二长度。所述第一长度大于所述第二长度。沿着平行于所述源极/漏极接触插塞的顶面的相同方向测量所述第一长度和所述第二长度。本申请的实施例另一方面提供一种形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本申请的实施例涉及半导体领域，具体地，涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路尺寸的不断减小，新的挑战也出现了。例如，导电部件之间的接触电阻开始主导集成电路的电阻。一个例子是源极/漏极接触插塞和相应的上面的通孔之间的接触电阻，由于源极/漏极接触插塞与通孔之间的接触面积小，使得该电阻可能很高。高的接触电阻值显著影响晶体管的驱动电流。
技术实现思路
本申请的实施例提供一种半导体结构，包括：晶体管，包括第一源极/漏极区；源极/漏极接触插塞，位于第一源极/漏极区上方，并且与第一源极/漏极区电连接；以及通孔，位于源极/漏极接触插塞上方，并且与源极/漏极接触插塞接触，通孔包括：底部，具有第一长度；以及上部，具有第二长度，其中，第一长度大于第二长度，并且沿着平行于源极/漏极接触插塞的顶面的第一方向测量第一长度和第二长度。本申请的实施例提供一种半导体结构，包括：第一导电部件，其中，在平面图中，第一导电部件具有沿着第一方向的第一长度，和沿着垂直于第一方向的第二方向的第一宽度，并且第一宽度小于第一长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n晶体管，包括第一源极/漏极区；/n源极/漏极接触插塞，位于所述第一源极/漏极区上方，并且与所述第一源极/漏极区电连接；以及/n通孔，位于所述源极/漏极接触插塞上方，并且与所述源极/漏极接触插塞接触，所述通孔包括：/n底部，具有第一长度；以及/n上部，具有第二长度，其中，所述第一长度大于所述第二长度，并且沿着平行于所述源极/漏极接触插塞的顶面的第一方向测量所述第一长度和所述第二长度。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/572,8121.一种半导体结构，包括：
晶体管，包括第一源极/漏极区；
源极/漏极接触插塞，位于所述第一源极/漏极区上方，并且与所述第一源极/漏极区电连接；以及
通孔，位于所述源极/漏极接触插塞上方，并且与所述源极/漏极接触插塞接触，所述通孔包括：
底部，具有第一长度；以及
上部，具有第二长度，其中，所述第一长度大于所述第二长度，并且沿着平行于所述源极/漏极接触插塞的顶面的第一方向测量所述第一长度和所述第二长度。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述晶体管还包括：
栅极堆叠件；以及
第二源极/漏极区，其中，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区位于所述栅极堆叠件的相对侧上，并且所述第一方向垂直于从所述第一源极/漏极区指向所述第二源极/漏极区的方向。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部具有第一宽度，所述上部具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且沿着垂直于所述第一方向的第二方向测量所述第一宽度和所述第二宽度。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部具有第一宽度，所述上部具有基本等于所述第一宽度的第二宽度，并且沿着垂直于所述第一方向的第二方向测量所述第一宽度和所述第二宽度。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
蚀刻停止层，其中，所述通孔的所述底部位于所述蚀刻停止层中；以及
介电层，位于所述蚀刻停止层的上方，其中，所述通孔的所述上部位于所述介电层中。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔还包括横向延伸超过所述上部的顶部，并且其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡迪尔贝德·姆鲁诺·阿比基斯，林耕竹，王菘豊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71