半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明专利技术实施例揭露一种半导体结构，其包括第一晶体管、第二晶体管、第一虚拟源极/漏极、第三晶体管、第四晶体管及第二虚拟源极/漏极。所述第一晶体管及邻近于所述第一晶体管的第二晶体管处于第一高度处。所述第一虚拟源极/漏极经放置处于所述第一高度处。所述第三晶体管及邻近于所述第三晶体管的第四晶体管处于不同于所述第一高度的第二高度处。所述第二虚拟源极/漏极经放置处于所述第二高度处。所述第二晶体管与所述第三晶体管垂直对准。所述第一虚拟源极/漏极与所述第四晶体管的源极/漏极垂直对准。还提供一种用于制造半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)行业已经历了指数级增长。IC材料及设计方面的技术进步已产生数代IC，其中每一代较之上一代皆具有较小、较复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连装置的数目)通常已增加，而几何大小(即，可使用制造工艺形成的最小组件(或线))已减小。此按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率及降低相关联成本同时增加可在缩减的芯片面积中提供的功能性的数量来提供益处。此按比例缩小已增加处理及制造IC的复杂性，且还增加布局设计的难度。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，一种半导体结构包含：第一晶体管及经放置邻近于所述第一晶体管的第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管处于第一高度处；第一虚拟源极/漏极，其经放置处于所述第一高度处；第三晶体管及经放置邻近于所述第三晶体管的第四晶体管，所述第三晶体管及所述第四晶体管处于与所述第一高度不同的第二高度处；及第二虚拟源极/漏极，其经放置处于所述第二高度处，其中所述第二晶体管与所述第三晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其包含：/n第一晶体管及经放置邻近于所述第一晶体管的第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管处于第一高度处；/n第一虚拟源极/漏极，其经放置处于所述第一高度处；/n第三晶体管及经放置邻近于所述第三晶体管的第四晶体管，所述第三晶体管及所述第四晶体管处于与所述第一高度不同的第二高度处；及/n第二虚拟源极/漏极，其经放置处于所述第二高度处，/n其中所述第二晶体管与所述第三晶体管垂直对准，所述第一虚拟源极/漏极与所述第四晶体管的源极/漏极垂直对准，所述第二虚拟源极/漏极与所述第一晶体管的源极/漏极垂直对准，且在所述第二虚拟源极/漏极与所述第三晶体管的源极/漏极之间不存在栅极结构。...

【技术特征摘要】
20190927 US 62/907,426;20200713 US 16/927,7401.一种半导体结构，其包含：
第一晶体管及经放置邻近于所述第一晶体管的第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管处于第一高度处；
第一虚拟源极/漏极，其经放置处于所述第一高度处；
第三晶体管及经放置邻近...

【专利技术属性】
技术研发人员：王柏钧，吴国晖，庄惠中，陈志良，田丽钧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71