温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例揭露一种半导体结构，其包括第一晶体管、第二晶体管、第一虚拟源极/漏极、第三晶体管、第四晶体管及第二虚拟源极/漏极。所述第一晶体管及邻近于所述第一晶体管的第二晶体管处于第一高度处。所述第一虚...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。