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具有突变掺杂剂分布的高纵横比的源极或漏极结构。描述了具有带有突变掺杂剂分布的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括水平纳米线的垂直布置。栅极叠层在水平纳米线的垂直布置周围。第一外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第一...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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