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一种半导体结构。半导体结构包括基底和在基底上的栅极结构，其中栅极结构可包括两侧间隔物，形成在两侧间隔物侧面上的介电层，以及形成在介电层上的栅极金属堆叠。栅极金属堆叠的顶面可在介电层的顶面之下。半导体结构的优点之一为改善在集成电路中的紧密节距...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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