基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS制造技术

本发明专利技术公开了一种基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS，PNP型高压ESD器件包括P型集电极、P型发射极以及位于P型集电极和P型发射极之间的第一STI，第一STI的标准长度表示为L；第一STI的长度为

【技术实现步骤摘要】
基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS
本专利技术涉及ESD(Electro-Staticdischarge，静电释放)器件，尤其涉及一种基于BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，双极互补双扩散金属氧化物半导体)工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS(Laterally-DiffusedMetal-OxideSemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)。
技术介绍
ESD现象对于半导体器件的正常工作是个严重的问题，而ESD器件可分为基于正向导通泄放电流型和基于负阻效应开启泄放电流型。对于ESD器件来说，二次击穿电流It2，导通电阻Ron，以及二次击穿电压Vt2对于器件的设计有重要意义。因此，在LDMOS的制造流程中，如何在现有BCD工艺中不增加工艺成本的前提下，改进ESD器件的电流承受能力即二次击穿电流It2，导通电阻Ron及二次击穿电压Vt2，以及改善ESD器件的体积是目前所关注的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有基于BCD工艺的半导体LDMOS制造流程中PNP型高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，包括P型集电极、P型发射极以及位于所述P型集电极和所述P型发射极之间的第一STI，所述第一STI的标准长度表示为L；/n其特征在于，所述第一STI的长度为

【技术特征摘要】
1.一种基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，包括P型集电极、P型发射极以及位于所述P型集电极和所述P型发射极之间的第一STI，所述第一STI的标准长度表示为L；
其特征在于，所述第一STI的长度为所述PNP型高压ESD器件还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于所述第一STI和所述P型发射极相邻的两端的上部区域。


2.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述标准长度的取值范围为1～2微米。


3.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述PNP型高压ESD器件为PNP型三极管。


4.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述PNP型高压ESD器件的工作电压的范围为40～65V。


5.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述PNP型高压ESD器件还包括：N型基极、P衬底、高压N阱、P型漂移区、N型漂移区、第二STI、第三STI、第四STI、第一N阱和第二N阱；...

【专利技术属性】
技术研发人员：林威，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31