半导体结构制造技术

本公开提供一种半导体结构。上述半导体结构包括位于基板上的第一井区，以及位于第一井区上的隔离结构。上述半导体结构亦包括位于上述第一井区上的第一晶体管，以及包括位于第一井区上的第一埋入式导线，第一埋入式导线电性连接至第一晶体管的源极结构。第一埋入式导线的顶部表面基本齐平于或低于隔离结构的顶部表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本公开涉及一种半导体结构，特别涉及一种具有埋入式导线的半导体结构。
技术介绍
集成电路(Integratedcircuit,IC)已变得益发重要。数以百万计的人们使用着运用IC的应用。这些应用包括行动电话、智能型手机、平板电脑、笔记型电脑、笔记型个人电脑、PDA、无线电子邮件终端、MP3音频及视频播放器、以及可携式无线Web浏览器。集成电路逐渐地包括功能强大且高效的板载(on-board)数据储存以及用于信号控制和处理的逻辑电路。近年的IC小型化趋势已产出消耗较少功率的较小的装置，但仍提供比以前更高的速度及更多的功能。小型化工艺亦导致了IC设计及/或制造工艺的各种发展，以确保所需的产量及预期的性能。
技术实现思路
本公开实施例提供一种半导体结构。上述半导体结构包括位于基板上的第一井区，以及位于第一井区上的隔离结构。上述半导体结构亦包括位于上述第一井区上的第一晶体管，以及包括位于第一井区上的第一埋入式导线，第一埋入式导线电性连接至第一晶体管的源极结构。第一埋入式导线的顶部表面基本齐平于或低于隔离结构的顶部表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一第一井区，位于一基板上；/n一隔离结构，位于所述第一井区上；/n一第一晶体管，位于所述第一井区上；以及/n一第一埋入式导线，位于所述第一井区上，且电性连接至所述第一晶体管的一源极结构，其中所述第一埋入式导线的一顶部表面齐平于或低于所述隔离结构的一顶部表面。/n

【技术特征摘要】
20191001 US 16/589,2631.一种半导体结构，包括：
一第一井区，位于一基板上；
一隔离结构，位于所述第一井区上；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71