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本公开提供一种半导体结构。上述半导体结构包括位于基板上的第一井区，以及位于第一井区上的隔离结构。上述半导体结构亦包括位于上述第一井区上的第一晶体管，以及包括位于第一井区上的第一埋入式导线，第一埋入式导线电性连接至第一晶体管的源极结构。第一埋...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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