本发明专利技术公开一种功率器件封装结构及电力电子设备，该功率器件封装结构包括：引线框架，其包括基岛，以及与基岛电连接的第一管脚；金属片；功率芯片，其相对的两面分别设有第一电极和第二电极；第一电极通过导电结合层结合于金属片的正面；第二电极通过导电结合层结合于基岛；封装体，其包封功率芯片、引线框架的一部分和金属片的一部分；金属片的背面露出封装体，第一管脚的一部分露出封装体。该电力电子设备包括上述功率器件封装结构。该功率器件封装结构，通过在功率芯片一面的电极上设置金属片并将金属片外露，缩短了电热传导路径，增大了电热传导通道，提升了散热性能，提高了产品可靠性；该电力电子设备性能更优。该电力电子设备性能更优。该电力电子设备性能更优。
【技术实现步骤摘要】
一种功率器件封装结构及电力电子设备
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种功率器件封装结构及电力电子设备。
技术介绍
[0002]现有的半导体封装结构，通过对芯片进行封装，以对芯片起到安放、固定、密封、保护的作用；经过封装技术，实现芯片与外界的隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀造成电气性能的下降。一般的封装结构，一般将芯片上的电极接点用导向连接到封装外壳的管脚上，这些管脚又通过电路板上的导线与其他器件建立连接。对于很多电力电子设备产品而言，封装结构至关重要。
[0003]功率器件在工作时，会产生热量；大功率的半导器器件需要处理更大的电流，发热量更大。对于功率器件的封装结构而言，若无法及时高效地向外部媒质散热，将极大影响半导体器件的工作性能，甚至会导致失效。现有的功率器件封装结构，通过在外部增加散热器来加快散热，但是此种散热方式仍然难以满足散热需求。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例的一个目的在于：提供一种功率器件封装结构，其缩短了传导路径，增大了传导通道，提升了产品的散热性能，提高了产品的可靠性。
[0005]本专利技术实施例的另一个目的在于：提供一种电力电子设备，其性能更优，可靠性更高。
[0006]为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种功率器件封装结构，包括：
[0008]引线框架，其包括基岛，以及与所述基岛电连接的第一管脚；
[0009]金属片；
[0010]功率芯片，其相对的两面分别设有第一电极和第二电极；所述第一电极通过导电结合层结合于所述金属片的正面；所述第二电极通过导电结合层结合于所述基岛；
[0011]封装体，其包封所述功率芯片、所述引线框架的一部分和所述金属片的一部分；所述金属片的背面露出所述封装体，所述第一管脚的一部分露出所述封装体。
[0012]作为优选，至少一个所述功率芯片为三极管芯片；所述三极管芯片的第一面设有源极和栅极，在与所述第一面相对的第二面设有漏极；
[0013]所述源极为第一电极，所述漏极为第二电极；或，所述漏极为所述第一电极，所述源极为所述第二电极。
[0014]作为优选，所述引线框架还包括与所述基岛绝缘的第二管脚，所述栅极通过电连接件与所述第二管脚电连接；
[0015]或，所述功率器件封装结构还包括导电片，所述栅极通过导电结合层结合于所述导电片的正面，所述导电片的背面露出所述封装体。
[0016]作为优选，所述功率芯片的数量为两个；
[0017]其一所述功率芯片为三极管芯片，另一所述功率芯片为二极管芯片；或，两个所述功率芯片均为三极管芯片。
[0018]作为优选，所述功率芯片的数量为两个；两个所述功率芯片均为二极管芯片；
[0019]所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；或，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。
[0020]作为优选，所述基岛远离所述功率芯片的一面露出所述封装体。
[0021]作为优选，所述基岛被全部包封于所述封装体的内部。
[0022]作为优选，包括两个或多个所述功率芯片,以及数量与所述功率芯片的数量相同的所述金属片；每一功率芯片的所述第一电极均与一所述金属片结合。
[0023]作为优选，包括至少一组器件组；每一组所述器件组包括两个功率芯片和一个金属片；所述器件组中，两个所述功率芯片的所述第一电极均与所述金属片结合。
[0024]一种电力电子设备，包括上述方案的功率器件封装结构，还包括电路板，所述金属片的背面焊接于所述电路板，所述管脚焊接于所述电路板。
[0025]本专利技术的有益效果为：该功率器件封装结构，通过在功率芯片的其中一面的第一电极上设置金属片并将金属片外露，既实现了第一电极的外引，又实现了散热；该封装结构缩短了电热传导路径，增大了电热传导通道，提升了散热性能，提高了产品可靠性；该电力电子设备，采用了上述的功率器件封装结构，性能更优，可靠性更高。
附图说明
[0026]下面根据附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。
[0027]图1为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0028]图2为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面视图；
[0029]图3为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0030]图4为本专利技术其一实施例所述功率器件封装结构的顶部示意图；
[0031]图5为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0032]图6为本专利技术又一实施例所述功率器件封装结构的顶部示意图；
[0033]图7为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的应用示意图；
[0034]图8为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0035]图9为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面示图；
[0036]图10为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0037]图11为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0038]图12为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0039]图13为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面示图；
[0040]图14为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0041]图15为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0042]图16为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0043]图17为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面示图；
[0044]图18为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0045]图19为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0046]图20为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0047]图21为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面示图；
[0048]图22为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0049]图23为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0050]图24为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0051]图25为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面示图；
[0052]图26为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0053]图27为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0054]图28为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0055]图29为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的内部结构平面示图；
[0056]图30为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的底部示意图；
[0057]图31为本专利技术实施例所述功率器件封装结构的纵剖图；
[0058]图中：10、功率芯片；11、三极管芯片；111、源极；112、栅极；12、二极管芯片；20、引线框架；21、基岛；22本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括：引线框架(20)，其包括基岛(21)，以及与所述基岛(21)电连接的第一管脚(22)；金属片(30)；功率芯片(10)，其相对的两面分别设有第一电极和第二电极；所述第一电极通过导电结合层(50)结合于所述金属片(30)的正面；所述第二电极通过导电结合层(50)结合于所述基岛(21)；封装体(60)，其包封所述功率芯片(10)、所述引线框架(20)的一部分和所述金属片(30)的一部分；所述金属片(30)的背面露出所述封装体(60)，所述第一管脚(22)的一部分露出所述封装体(60)。2.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于，至少一个所述功率芯片(10)为三极管芯片(11)；所述三极管芯片(11)的第一面设有源极(111)和栅极(112)，在与所述第一面相对的第二面设有漏极；所述源极(111)为第一电极，所述漏极为第二电极；或，所述漏极为所述第一电极，所述源极(111)为所述第二电极。3.根据权利要求2所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述引线框架(20)还包括与所述基岛(21)绝缘的第二管脚(23)，所述栅极(112)通过电连接件(40)与所述第二管脚(23)电连接；或，所述功率器件封装结构还包括导电片，所述栅极(112)通过导电结合层(50)结合于所述导电片的正面，所述导电片的背面露出所述封装体(60)。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述功率芯片(10)的数量为两个；其一所述功率芯片(10)为三极管芯片(11)，另一所述功...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，黄源炜，郑明祥，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。