MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法技术

本发明专利技术提供了一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管包括具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成。该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第二区域，并且该第二区域为在第一区域上进行预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成，可提高源漏掺杂浓度。可提高源漏掺杂浓度。可提高源漏掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法


[0001]本专利技术涉及集成电路加工制造
，具体涉及一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法。

技术介绍

[0002]金属氧化物场效应管(MOS管)的性能对整个集成电路设计好坏具有决定性的影响，在MOS工艺中形成源漏区时，离子注入是最常见的方法，为了提高MOS管的性能，需提高源漏中杂质离子的掺杂浓度。当半导体一侧掺杂浓度足够高时，半导体与金属接触耗尽区将非常窄，电子主要是场发射(Field Emission)，在导带底或接近导带底处，电子能够直接发生隧穿，从而在后段工艺中可以有效的降低源漏接触界面处接触电阻率。
[0003]现有离子注入工艺下，若直接注入过多的杂质离子，由于晶格中缺少足够的空位，且往往处于半导体晶格的间隙位置，被注入杂质离子无法得到充分激活，不仅对载流子的输运没有贡献，而且也造成大量损伤。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS晶体管，其特征在于，包括：具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成。2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第二区域的离子掺杂浓度由下至上呈梯度递增。3.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述预非晶化注入(PAI)的材料为锗(Ge)、砷(As)或硅(Si)。4.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管、NMOS晶体管或CMOS晶体管。5.一种利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有栅极的衬底；对所述栅极两侧的形成源漏区域进行第一次离子注入；进行第一次退火激活处理，形成第一区域；至少进行一次如下操作：对所述第一区域进行预非晶化注入(PAI)；对所述第一区域进行第二次离子注入；进行第二次退火激活处理，以形成第二区域。6.根据权利要求5所述的利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，其特征在于，所述第二次离子注入的深度小于所述第一次离子注入的深度。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：李梦华，罗军，许静，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
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