双向低压瞬态电压抑制器制造技术

本实用新型专利技术公开双向低压瞬态电压抑制器，包括第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一引线条和第二引线条，此竖直焊接部与水平引脚部呈垂直设置，所述倾斜连接部与水平引脚部夹角为30~60°；第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部、倾斜连接部位于环氧封装体内，所述第一引线条和第二引线条各自的水平引脚部位于环氧封装体底部，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片均竖直地设置于第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部之间。本实用新型专利技术既降低了器件的安装面积，也避免了微小的间隙，从而延长了器件使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
双向低压瞬态电压抑制器
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种双向低压瞬态电压抑制器。
技术介绍
静电对电子元件的损伤分为突发性损伤和潜在性损伤，突发性损伤指器件部分损坏，功能丧失，潜在性损伤指器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程测试中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。随着元件的集成度越来越高，集成度的提高意味着器件耐受静电击穿能力的降低。如何设计一种小型的瞬态电压抑制二极管成为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种双向低压瞬态电压抑制器，该双向低压瞬态电压抑制器既降低了器件的安装面积，也避免了微小的间隙，从而延长了器件使用寿命。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种双向低压瞬态电压抑制器，包括第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一引线条和第二引线条，此第一引线条和第二引线条均由竖直焊接部、水平引脚部和位于竖直焊接部、水平引脚部之间的倾斜连接部组成，此竖直焊接部与水平引脚部呈垂直设置，所述倾斜连接部与水平引脚部夹角为30~60°；所述第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部、倾斜连接部位于环氧封装体内，所述第一引线条和第二引线条各自的水平引脚部位于环氧封装体底部，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片均竖直地设置于第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部之间；第一二极管芯片的负极与第二二极管芯片的负极通过一焊膏层电连接，此第一二极管芯片、第二二极管芯片各自的正极分别通过焊膏层与第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部电连接。上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述倾斜连接部与水平引脚部夹角为45°。2.上述方案中，所述第一引线条和第二引线条各自的水平引脚部在水平方向上从其侧壁延伸出。由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1.本技术双向低压瞬态电压抑制器，其第一引线条和第二引线条均由竖直焊接部、水平引脚部组成，此竖直焊接部与水平引脚部呈垂直设置，第一引线条和第二引线条各自的水平引脚部位于环氧封装体底部，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片均竖直地设置于第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部之间；第一二极管芯片的负极与第二二极管芯片的负极通过一焊膏层电连接，此第一二极管芯片、第二二极管芯片各自的正极分别通过焊膏层与第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部电连接，在保护电路中的元器件免受浪涌脉冲的破坏的同时，既降低了器件的安装面积，也提高了器件的强度和便于二极管芯片的焊接。2.本技术双向低压瞬态电压抑制器，其第一引线条和第二引线条均由竖直焊接部、水平引脚部和位于竖直焊接部、水平引脚部之间的倾斜连接部组成，倾斜连接部与水平引脚部夹角为30~60°，大大改善了环氧封装体与引线条之间的结合强度，避免了微小的间隙，从而延长了器件使用寿命。附图说明附图1为本技术双向低压瞬态电压抑制器的结构示意图。以上附图中：1、第一二极管芯片；2、第一引线条；3、第二引线条；4、竖直焊接部；5、水平引脚部；6、倾斜连接部；7、环氧封装体；8、焊膏层；9、第二二极管芯片。具体实施方式在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1：一种双向低压瞬态电压抑制器，包括第一二极管芯片1、第二二极管芯片9、第一引线条2和第二引线条3，此第一引线条2和第二引线条3均由竖直焊接部4、水平引脚部5和位于竖直焊接部4、水平引脚部5之间的倾斜连接部6组成，此竖直焊接部4与水平引脚部5呈垂直设置，所述倾斜连接部6与水平引脚部5夹角为30~60°；所述第一二极管芯片1、第二二极管芯片9、第一引线条2和第二引线条3各自的竖直焊接部4、倾斜连接部6位于环氧封装体7内，所述第一引线条2和第二引线条3各自的水平引脚部5位于环氧封装体7底部，所述第一二极管芯片1、第二二极管芯片9均竖直地设置于第一引线条2和第二引线条3各自的竖直焊接部4之间；第一二极管芯片1的负极与第二二极管芯片9的负极通过一焊膏层8电连接，此第一二极管芯片1、第二二极管芯片9各自的正极分别通过焊膏层8与第一引线条2和第二引线条3各自的竖直焊接部4电连接。上述倾斜连接部6与水平引脚部5夹角为50°。实施例2：一种双向低压瞬态电压抑制器，包括第一二极管芯片1、第二二极管芯片9、第一引线条2和第二引线条3，此第一引线条2和第二引线条3均由竖直焊接部4、水平引脚部5和位于竖直焊接部4、水平引脚部5之间的倾斜连接部6组成，此竖直焊接部4与水平引脚部5呈垂直设置，所述倾斜连接部6与水平引脚部5夹角为30~60°；所述第一二极管芯片1、第二二极管芯片9、第一引线条2和第二引线条3各自的竖直焊接部4、倾斜连接部6位于环氧封装体7内，所述第一引线条2和第二引线条3各自的水平引脚部5位于环氧封装体7底部，所述第一二极管芯片1、第二二极管芯片9均竖直地设置于第一引线条2和第二引线条3各自的竖直焊接部4之间；第一二极管芯片1的负极与第二二极管芯片9的负极通过一焊膏层8电连接，此第一二极管芯片1、第二二极管芯片9各自的正极分别通过焊膏层8与第一引线条2和第二引线条3各自的竖直焊接部4电连接。上述倾斜连接部6与水平引脚部5夹角为45°。上述第一引线条2和第二引线条3各自的水平引脚部5在水平方向上从其侧壁延伸出。采用上述双向低压瞬态电压抑制器时，其在保护电路中的元器件免受浪涌脉冲的破坏的同时，既降低了器件的安装面积，也提高了器件的强度和便于二极管芯片的焊接；还有，其第一引线条和第二引线条均由竖直焊接部、水平引脚部和位于竖直焊接部、水平引脚部之间的倾斜连接部组成，倾斜连接部与水平引脚部夹角为30~60°，大大改善了环氧封装体与引线条之间的结合强度，避免了微小的间隙，从而延长了器件使用寿命。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双向低压瞬态电压抑制器，其特征在于：包括第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（9）、第一引线条（2）和第二引线条（3），此第一引线条（2）和第二引线条（3）均由竖直焊接部（4）、水平引脚部（5）和位于竖直焊接部（4）、水平引脚部（5）之间的倾斜连接部（6）组成，此竖直焊接部（4）与水平引脚部（5）呈垂直设置，所述倾斜连接部（6）与水平引脚部（5）夹角为30~60°；/n所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（9）、第一引线条（2）和第二引线条（3）各自的竖直焊接部（4）、倾斜连接部（6）位于环氧封装体（7）内，所述第一引线条（2）和第二引线条（3）各自的水平引脚部（5）位于环氧封装体（7）底部，所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（9）均竖直地设置于第一引线条（2）和第二引线条（3）各自的竖直焊接部（4）之间；/n第一二极管芯片（1）的负极与第二二极管芯片（9）的负极通过一焊膏层（8）电连接，此第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（9）各自的正极分别通过焊膏层（8）与第一引线条（2）和第二引线条（3）各自的竖直焊接部（4）电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种双向低压瞬态电压抑制器，其特征在于：包括第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（9）、第一引线条（2）和第二引线条（3），此第一引线条（2）和第二引线条（3）均由竖直焊接部（4）、水平引脚部（5）和位于竖直焊接部（4）、水平引脚部（5）之间的倾斜连接部（6）组成，此竖直焊接部（4）与水平引脚部（5）呈垂直设置，所述倾斜连接部（6）与水平引脚部（5）夹角为30~60°；
所述第一二极管芯片（1）、第二二极管芯片（9）、第一引线条（2）和第二引线条（3）各自的竖直焊接部（4）、倾斜连接部（6）位于环氧封装体（7）内，所述第一引线条（2）和第二引线条（3）各自的水平引脚部（5）位于环氧封装体（7）底部，所述第一二极管芯片（...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，田伟，
申请(专利权)人：苏州达晶半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32