MOS器件切筋装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种MOS器件切筋装置，其位于此避位槽的两侧均开设有条形槽，位于此条形槽的下方具有与条形槽连通的开口槽，条形槽的顶部设置有非牛顿流体条，在此条形槽的底部且位于开口槽上方设置有撞击板，此撞击板的下方通过连接片与切筋柱连接，且该连接片位于开口槽内部，切筋柱与MOS器件的引脚条对应，通孔供移动柱套装连接，移动柱固定安装在缓冲板的下表面，缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，在第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有弹性圈。本发明专利技术既实现了同时对多个半导体器件进行切筋，提高了加工效率，又可以对MOS器件主体进行缓冲，有效避免硬接触导致MOS器件损坏的情况，大大提高了MOS器件的安全性。高了MOS器件的安全性。高了MOS器件的安全性。

【技术实现步骤摘要】
MOS器件切筋装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种MOS器件切筋装置。

技术介绍

[0002]半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。例如，MOS集成电路是以金属
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氧化物
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半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。
[0003]半导体通常是在引线框架上利用多个引脚安装各种半导体片然后在引线框架上形成封装体，之后再将封装体以及一段引脚在半导体器件的整体框架上进行切除形成单个的半导体，在切除的过程中同时对引脚进行定型，此过程称为“切筋”。但是，现有的切筋装置多数采用步进式切筋的方法，导致效率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种MOS器件切筋装置，该MOS器件切筋装置既实现了同时对多个半导体器件进行切筋，提高了加工效率，又可以对MOS器件主体进行缓冲，有效避免硬接触导致MOS器件损坏的情况，大大提高了MOS器件的安全性。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种MOS器件切筋装置，包括：面板和冲压装置，其特征在于：所述冲压装置设置在在面板上方，所述面板顶部沿长度方向设置有一限位轨道，此限位轨道包括冲压区、定位区，所述冲压区位于所述冲压装置下方，在所述面板的一端设置有一推进机构，位于限位轨道一侧且在相近于推进机构的一端设置有一限位罩，此推进机构用于将MOS器件从定位区推至冲压区，在所述冲压区的中间位置且位于MOS器件下方开设有一容置槽，此容置槽的内部设置有缓冲机构；所述冲压装置的底部具有一冲压板，此冲压板的下表面具有一避位槽，位于此避位槽的两侧均开设有一条形槽，位于此条形槽的下方具有一与条形槽连通的开口槽，所述条形槽的顶部设置有一非牛顿流体条，在此条形槽的底部且位于开口槽上方设置有一撞击板，此撞击板的下方通过连接片与一切筋柱连接，且该连接片位于开口槽内部，所述切筋柱与MOS器件的引脚条对应；所述缓冲机构进一步包括缓冲板、移动柱以及弹性柱，位于所述容置槽的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板，该第一支撑板的顶部安装有所述弹性柱，位于此第一支撑板的上方设置有一具有通孔的第二支撑板，所述通孔供移动柱套装连接，所述移动柱固定安装在缓冲板的下表面，所述缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，在所述第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有一弹性圈。
[0006]上述技术方案中进一步改进的方案如下：1. 上述方案中，所述推进机构进一步包括推进电机、推进杆以及第四支撑板，所述安装在台座顶部的第四支撑板供推进电机固定安装，此推进电机用于驱动推进杆移动，此推进杆在靠近限位罩的一端设置有推板，另一端设置有限位块，所述推进杆的一侧开设有一卡槽，该卡槽的内壁上固定安装有一卡块，位于所述第四支撑板相背于推板的一侧且在卡槽的内部设置有一止挡块。
[0007]2. 上述方案中，所述限位罩进一步包括与面板转动连接的连接板、格栅条以及限位杆，所述格栅条的一端与连接板固定连接，另一端与限位杆固定连接，且格栅条沿限位轨道的长度方向间隔设置。
[0008]3. 上述方案中，所述冲压装置进一步包括：冲压电机、冲压柱，所述冲压电机通过支撑架固定在面板的上方，所述冲压板位于冲压电机与面板之间，且冲压电机的输出端通过冲压柱与冲压板固定连接。
[0009]4. 上述方案中，所述支撑架为C形支撑板。
[0010]5. 上述方案中，位于冲压区的两侧设置有若干个定位孔，在所述冲压板的两侧固定安装有定位板，且该定位板的下表面设置有若干个定位柱，所述定位柱与定位孔对应配合。
[0011]6. 上述方案中，所述定位孔为十字形孔。
[0012]7. 上述方案中，所述避位槽内设置有软垫。
[0013]由于上述技术方案的运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：1、本专利技术MOS器件切筋装置，其位于此条形槽的下方具有一与条形槽连通的开口槽，条形槽的顶部设置有一非牛顿流体条，在此条形槽的底部且位于开口槽上方设置有一撞击板，此撞击板的下方通过连接片与一切筋柱连接，且该连接片位于开口槽内部，切筋柱与MOS器件的引脚条对应，通过非牛顿流体条、撞击板、切筋柱的配合，实现了同时对多个半导体器件进行切筋，提高了加工效率，还可以在切筋完成后，大大降低对半导体条的挤压力，从而有效减少了半导体条整体断裂的情况，提高了整体的良品率；进一步的，其位于容置槽的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板，该第一支撑板的顶部安装有弹性柱，位于此第一支撑板的上方设置有一具有通孔的第二支撑板，通孔供移动柱套装连接，移动柱固定安装在缓冲板的下表面，缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，当冲压装置对主板挤压的时候，通过弓形弹片对MOS器件主体进行初步缓冲，接着通过缓冲板、移动柱、弹性柱的下移，进一步对MOS器件主体进行缓冲，有效避免MOS器件与冲压装置硬接触导致MOS器件损坏的情况，大大提高了MOS器件的安全性；进一步的，其在第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有一弹性圈，在实现缓冲的基础上，也提高了整体的结构强度。
[0014]2、本专利技术MOS器件切筋装置，其安装在台座顶部的第四支撑板供推进电机固定安装，此推进电机用于驱动推进杆移动，此推进杆在靠近限位罩的一端设置有推板，另一端设置有限位块，推进杆的一侧开设有一卡槽，该卡槽的内壁上固定安装有一卡块，位于第四支撑板相背于推板的一侧且在卡槽的内部设置有一止挡块，通过卡块、止挡块的配合，可以实现推进杆在移动到一定位置之后就保持停止，从而提高了半导体移动的精准性，避免MOS器件移动距离不准确导致加工位置出现错位的情况；进一步的，其位于限位轨道一侧且在相
近于推进机构的一端设置有一与台座转动连接的限位罩，使得MOS器件在限位轨道的上表面移动的同时，不会脱离限位轨道所在的平面，提高了半导体移动的稳定性，从而大大改善了MOS器件的位置精度。
附图说明
[0015]附图1为本专利技术第一视角的整体结构示意图；附图2为本专利技术第二视角的整体结构示意图；附图3为本专利技术MOS器件加工前、后的结构示意图；附图4为本专利技术推进机构的结构示意图；附图5为本专利技术推进机构的剖面立体图；附图6为本专利技术推进机构的内部结构示意图；附图7为本专利技术冲压板的结构示意图；附图8为本专利技术MOS器件切筋装置的局部结构示意图；附图9为本专利技术面板的内部结构示意图；附图10为本专利技术缓冲机构的结构示意图。
[0016]以上附图中：1、面板；2、冲压装置；71、冲压区；72、定位区；3、推进机构；4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件切筋装置，包括：面板（1）和冲压装置（2），其特征在于：所述冲压装置（2）设置在在面板（1）上方，所述面板（1）顶部沿长度方向设置有一限位轨道（7），此限位轨道（7）包括冲压区（71）、定位区（72），所述冲压区（71）位于所述冲压装置（2）下方，在所述面板（1）的一端设置有一推进机构（3），位于限位轨道（7）一侧且在相近于推进机构（3）的一端设置有一限位罩（35），此推进机构（3）用于将MOS器件（100）从定位区（72）推至冲压区（71），在所述冲压区（71）的中间位置且位于MOS器件（100）下方开设有一容置槽（4），此容置槽（4）的内部设置有缓冲机构（5）；所述冲压装置（2）的底部具有一冲压板（6），此冲压板（6）的下表面具有一避位槽（8），位于此避位槽（8）的两侧均开设有一条形槽（9），位于此条形槽（9）的下方具有一与条形槽（9）连通的开口槽（10），所述条形槽（9）的顶部设置有一非牛顿流体条（11），在此条形槽（9）的底部且位于开口槽（10）上方设置有一撞击板（12），此撞击板（12）的下方通过连接片（13）与一切筋柱（14）连接，且该连接片（13）位于开口槽（10）内部，所述切筋柱（14）与MOS器件（100）的引脚条（200）对应；所述缓冲机构（5）进一步包括缓冲板（15）、移动柱（16）以及弹性柱（17），位于所述容置槽（4）的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板（18），该第一支撑板（18）的顶部安装有所述弹性柱（17），位于此第一支撑板（18）的上方设置有一具有通孔（20）的第二支撑板（19），所述通孔（20）供移动柱（16）套装连接，所述移动柱（16）固定安装在缓冲板（15）的下表面，所述缓冲板（15）的上表面安装有若干弓形弹片（21），在所述第一支撑板（18）与第二支撑板（19）之间设置有第三支撑板（22），且在两个第三支撑板（22）之间设置有一弹性圈（23）。2.根据权利要求1所述的MOS器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：田伟，廖兵，
申请(专利权)人：苏州达晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：