封装端子腔及其产生方法技术

本申请案的实施例涉及封装端子腔及其产生方法。在一些实例中，一种封装(100)包括：模制件(102)；及导电端子(108)，其与所述模制件接触且具有暴露于所述模制件的第一表面(112)的第一表面(108B)。所述导电端子包含腔(110)，所述腔(110)具有沿着所述导电端子的所述第一表面的至少一半延伸的第一部分(110B)及沿着所述导电端子的所述第一表面的不到一半延伸的第二部分(110C)。

【技术实现步骤摘要】
封装端子腔及其产生方法
本专利技术涉及封装端子腔及其产生方法。
技术介绍
在半导体裸片上形成电路且随后将电路封装在模制件(例如，环氧树脂)内部以保护电路免受由于封装外部的要素(例如湿气、热量及钝力)所致的损坏。
技术实现思路
在一些实例中，一种封装包括：模制件；及导电端子，其与所述模制件接触且具有暴露于所述模制件的第一表面的第一表面。所述导电端子包含腔，所述腔具有沿着所述导电端子的所述第一表面的至少一半延伸的第一部分及沿着所述导电端子的所述第一表面的不到一半延伸的第二部分。在一些实例中，一种方法包括：提供导电材料层；将光致抗蚀剂定位在所述导电材料层上；将掩模定位在所述光致抗蚀剂上方；及经由所述掩模曝光所述光致抗蚀剂且显影所述光致抗蚀剂以在所述光致抗蚀剂上产生图案。所述方法还包括使用所述图案来蚀刻所述导电材料层以产生腔，所述腔具有沿着所述导电材料层的第一表面的至少一半延伸的第一部分及沿着所述导电材料层的所述第一表面的不到一半延伸的第二部分，所述第一部分及所述第二部分彼此流体连通。所述方法进一步包括使用所述导电材料层来产生芯片封装，所述导电材料层的所述第一表面暴露于所述芯片封装的第一表面。附图说明对于各种实例的详细描述，现在将参考附图，其中：图1描绘根据各种实例的具有导电端子的封装的侧视图。图2描绘根据各种实例的具有导电端子的封装的仰视图。图3描绘根据各种实例的具有导电端子的封装的透视图。图4A及4B描绘根据各种实例的导电端子的横截面视图。图5描绘根据各种实例的包含导电端子的引线框带的一部分的仰视图。图6A-6H描绘根据各种实例的用于制造导电端子的工艺流程。图7描绘根据各种实例的用于制造导电端子的方法的流程图。具体实施方式为了促进与封装外部的电子装置的通信，将封装内的电路电耦合到导电端子。这些导电端子经定位在封装内部但暴露于封装的一或多个外表面。通过将导电端子耦合到封装外部的电子装置，形成通路以经由导电端子在封装内的电路与封装外部的电子装置之间交换电信号。此类封装常常经安装在印刷电路板(PCB)上，例如在智能手机、个人计算机或其它电子装置中。为了将封装安装到PCB上，将例如焊料的导电材料适当地定位在封装的导电端子与导电端子应耦合到的PCB上的电触点之间。接着将导电材料熔化且随后允许其固化(此工艺通常被称为“回流焊”)，由此在封装内的电路与安装在PCB上的一或多个其它电子装置之间形成电通路。此类封装，及更具体来说，封装的导电端子因此被称为“可浸润的”。例如，此导电端子可被称为“可由焊料浸润的”。期望在封装的导电端子与PCB上的对应电触点之间建立稳定连接，因为弱连接易于断开，由此终止电通信的可能性。一种用于建立此类稳定连接的技术需要在导电端子的底表面上、在导电端子的侧表面上及在底表面与侧表面之间的导电端子的拐角上产生单个腔。当执行回流焊工艺时，导电材料(例如，焊料)在导电端子与PCB之间建立前述连接，且在如此做的同时，导电材料的一部分经由底表面流入这个腔，通过所述腔，且流出所述腔中位于导电端子的侧表面上的部分。导电材料中流出导电端子的侧表面的部分被称为“圆角”。如果在回流焊工艺期间使用的导电材料量足以建立稳定连接，那么圆角将具有急剧倾斜的表面，其中圆角斜率的最高点在导电端子的侧表面处，且圆角斜率的最低点在PCB的表面处。另一方面，如果所使用的导电材料量不足以形成稳定连接，或如果以某一其它方式损害回流焊工艺，那么圆角将不具有足够斜率，而是将相对平坦。例如自动光学检查(AOI)工具等适当仪器可用于确定圆角斜率。圆角斜率的检查通常可用于确定是否已形成稳定连接。在引线框制造期间使用光刻及蚀刻工艺来形成导电端子中的腔。腔的形状通常是象限球，使得腔在导电端子的底表面及侧表面中的每一者上看似大致半圆形。当导电端子长度小于或等于特定阈值时，将此类腔蚀刻到导电端子中通常是成功的。然而，当导电端子的长度超过这个阈值时，蚀刻工艺通常是不成功的，因为蚀刻剂太深地蚀刻到导电端子中，常常一路蚀穿端子。通过减小被暴露用于蚀刻的导电端子的表面积无法令人满意地纠正这个问题，因为如此做会降低上文所描述的AOI圆角斜率检查的可靠性。通常，为了可靠的AOI圆角斜率检查，被暴露用于蚀刻的导电端子表面的长度(及因此，腔的长度)应是导电端子的长度的至少一半。本专利技术描述新颖导电端子及用于制造新颖导电端子的方法的各种实例。在引线框制造期间，蚀刻新颖导电端子以在所述端子中形成腔，此克服上文所描述的挑战。具体来说，腔具有沿着导电端子的底表面的至少一半延伸的第一部分及沿着导电端子的底表面的不到一半延伸的第二部分。此外，腔沿着导电端子的侧表面的至少一半延伸。此导电端子拥有多种技术优势。例如，此一般形状的腔的形成减轻上文所描述的过度蚀刻挑战的风险，因为相对于第一部分减小第二部分的大小会减少用于形成腔的蚀刻剂的量。这种控制蚀刻速率的能力带来重大技术优势，因为其赋予沿着导电端子的表面的至少一半延伸的宽腔区域的优势(例如，符合客户规格)，同时避免传统上与此类宽腔区域相关联的劣势(例如，蚀穿)。此外，腔的一般形状促成恰当的AOI圆角斜率测试，因为沿着底表面的第一部分的长度(及沿着侧表面的腔的长度)是导电端子的长度的至少50％。图1-3提供包括多个导电端子的封装的各种视图，其中至少一些是本文中所描述的新颖导电端子。图4A及4B提供新颖导电端子的横截面视图。图5-7描绘此类新颖导电端子的制造。现在依次描述这些附图中的每一者。图1描绘根据各种实例的具有导电端子的封装100(例如，四方扁平无引线(QFN)封装)的侧视图。特定来说，封装100包括具有包含底表面112及侧表面114的多个表面的模制件102(例如，环氧树脂)。封装100可容纳例如安装在裸片焊盘上的半导体裸片。封装100进一步包含在封装100的每一侧表面上及在封装100的底表面上的多个导电端子104。导电端子104中暴露于侧表面114的表面是用数字104A标记。封装100另外包括在封装100的每一侧表面上及在封装100的底表面上的多个导电端子108。导电端子108中暴露于侧表面114的表面是用数字108A标记。导电端子108在其相应长度上与导电端子104不同，其中导电端子108长于导电端子104。在一些实例中，导电端子108比导电端子104长至少0.500mm。在一些实例中，导电端子108的长度介于0.300mm与1.0mm之间，且导电端子104的长度介于0.200mm与0.300mm之间。仍然参考图1，导电端子104包含腔106。腔106中沿着导电端子表面104A延伸的部分被标记为106A。类似地，导电端子108包含腔110。腔110中沿着导电端子表面108A延伸的部分被标记为110A。在一些实例中，腔106的部分106A沿着其相应导电端子104的长度的至少一半延伸，且部分106A邻接其相应导电端子104的边缘(或拐角)。在一些实施例中，腔110的部分110A沿着其相应导电端子108的长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装，其包括：/n模制件；及/n导电端子，其与所述模制件接触且具有暴露于所述模制件的第一表面的第一表面，所述导电端子包含腔，所述腔具有沿着所述导电端子的所述第一表面的至少一半延伸的第一部分及沿着所述导电端子的所述第一表面的不到一半延伸的第二部分。/n

【技术特征摘要】
20190930 US 16/588,5441.一种封装，其包括：
模制件；及
导电端子，其与所述模制件接触且具有暴露于所述模制件的第一表面的第一表面，所述导电端子包含腔，所述腔具有沿着所述导电端子的所述第一表面的至少一半延伸的第一部分及沿着所述导电端子的所述第一表面的不到一半延伸的第二部分。


2.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一部分及所述第二部分彼此流体连通。


3.根据权利要求1所述的封装，其中所述腔暴露于所述导电端子的拐角，在所述拐角处所述导电端子的所述第一表面与所述导电端子的第二表面相遇。


4.根据权利要求3所述的封装，其中所述腔沿着所述导电端子的所述第二表面的长度的至少一半延伸。


5.根据权利要求3所述的封装，其中所述第二部分经定位成比所述第一部分离所述拐角更远。


6.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二部分在所述第一表面的平面中具有半圆形形状。


7.根据权利要求1所述的封装，其进一步包括另一导电端子，所述导电端子具有大于所述另一导电端子的长度。


8.根据权利要求1所述的封装，其中所述封装包括四方扁平无引线QFN封装。


9.根据权利要求1所述的封装，其中所述导电端子的至少一部分包含镍钯金镀层。


10.一种封装，其包括：
模制件；及
导电端子，其与所述模制件接触，所述导电端子的第一表面暴露于所述模制件的第一表面且所述导电端子的第二表面暴露于所述模制件的第二表面，所述导电端子包含暴露于所述导电端子的所述第一表面及所述第二表面的腔，
其中所述腔包含在所述导电端子的所述第一表面上的第一部分及第二部分，所述第一部分沿着所述导电端子的所述第一表面的长度的至少一半延伸，所述第二部分沿着所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：伯纳多·加列戈斯，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US