通过键合丝电性引出的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种通过键合丝电性引出的封装结构，包括：第一塑封层、封装于第一塑封层内的第一芯片和若干键合丝，第一塑封层具有相背的第一面和第二面，第一芯片的正面朝向第一面，且第一芯片I/O口通过第一电连接结构与键合丝连接；第二塑封层和封装于第二塑封层内的第二芯片，第二塑封层具有邻近第二面的第三面和与第三面相背的第四面，第二芯片的正面朝向第三面，第二芯片I/O口外露于第三面并通过第二电连接结构与键合丝连接；其中，键合丝包括键合丝本体和分别与键合丝本体两端一体连接的第一端和第二端，第一端邻近第一面，且第一端的横截面大于键合丝本体的横截面。本实用新型专利技术可以免去电镀的过程，提高生产效率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
通过键合丝电性引出的封装结构
本技术涉及集成电路封装
，具体涉及一种通过键合丝上面电性引出的封装机构。
技术介绍
随着越来越多的高密度、多功能和小型化需求给封装和基板都带来了新的挑战，很多新的封装技术应运而生，包括埋入式封装技术。埋入式封装技术是把电阻、电容、电感等被动元件甚至是IC等主动器件埋入到印刷电路板内部，这种做法可以缩短元件相互之间的线路长度，改善电气特性，而且还能提高有效的印制电路板封装面积，减少大量的印制电路板板面的焊接点，从而提高封装的可靠性，并降低成本，是一种非常理想的高密度封装技术。然而，在埋入式的封装过程中会使用电镀工艺，当埋入式封装中需要进行建立电镀通孔时，当遇到深宽比较大的通孔时，它的电镀实现比较困难，容易产生空洞，而且电镀时间较长，最终导致产品可靠度降低，甚至报废。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种通过键合丝电性引出的封装结构，可以免去电镀的过程，提高生产效率，降低生产成本。为达此目的，本技术采用以下技术方案：提供一种通过键合丝电性引出的封装结构，包括：第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过键合丝电性引出的封装结构，其特征在于，包括：/n第一塑封层、封装于所述第一塑封层内的第一芯片和若干键合丝，所述第一塑封层沿其厚度方向具有相背的第一面和第二面，所述第一芯片的正面朝向所述第一面，且所述第一芯片的I/O口通过第一电连接结构与所述键合丝外露所述第一面的一端连接；/n第二塑封层和封装于所述第二塑封层内的第二芯片，所述第二塑封层沿其厚度方向具有邻近所述第二面的第三面和与所述第三面相背的第四面，所述第二芯片的正面朝向所述第三面，所述第二芯片的I/O口外露于所述第三面并通过第二电连接结构与所述键合丝外露所述第二面的一端连接；/n其中，所述键合丝包括键合丝本体和分别与所述键合丝本体...

【技术特征摘要】
1.一种通过键合丝电性引出的封装结构，其特征在于，包括：
第一塑封层、封装于所述第一塑封层内的第一芯片和若干键合丝，所述第一塑封层沿其厚度方向具有相背的第一面和第二面，所述第一芯片的正面朝向所述第一面，且所述第一芯片的I/O口通过第一电连接结构与所述键合丝外露所述第一面的一端连接；
第二塑封层和封装于所述第二塑封层内的第二芯片，所述第二塑封层沿其厚度方向具有邻近所述第二面的第三面和与所述第三面相背的第四面，所述第二芯片的正面朝向所述第三面，所述第二芯片的I/O口外露于所述第三面并通过第二电连接结构与所述键合丝外露所述第二面的一端连接；
其中，所述键合丝包括键合丝本体和分别与所述键合丝本体两端一体连接的第一端和第二端，所述第一端邻近所述第一面，且所述第一端的横截面大于所述键合丝本体的横截面。


2.根据权利要求1所述的通过键合丝电性引出的封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构包括位于所述第二端的焊盘和焊接于所述焊盘上的第二金属凸块，所述第二金属凸块与所述第二芯片的I/O口焊接连接。


3.根据权利要求2所述的通过键合丝电性引出的封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构还包括填充于所述第一塑封层与所述第二芯片之间的焊剂。


4.根据权利要求1所述的通过键合丝电性引出的封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构包括制作于所述第二面并覆盖所述第一芯片的I/O口的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：环珣，崔锐斌，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，广东芯华微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44