本发明公开一种大板级扇出型封装方法及大板级扇出型封装结构。大板级扇出型封装方法包括：提供临时载板和若干芯片，将芯片贴于临时载板上并切块，形成切框芯片；对每个切框芯片上的芯片进行表面处理，将若干切框芯片排版、拼框；制作框架，将框架贴合于拼...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种芯片封装结构的制备方法及封装结构，其中，制备方法包括以下步骤：提供晶圆，基于芯片分布在晶圆上植第一植球；根据芯片分布对晶圆进行划片处理以获取芯片单体；提供载板，将芯片单体固定在载板上；对第一植球进...

本发明公开一种嵌入式线路结构成型方法及嵌入式线路结构，涉及集成电路封装技术领域。其中，嵌入式线路结构成型方法包括以下步骤：S10、选用玻璃板作为基板，对基板的部分区域进行激光改性；S20、在基板的双面溅射一铜层，采用雕刻液对铜层的部分区...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种芯片倒装封装结构的制备方法及封装结构，其中，该制备方法包括以下步骤：提供晶圆，基于芯片分布在晶圆上表面设置结构金属层；根据芯片分布对晶圆进行划片处理以获取芯片单体；提供载板，基于临时键合层将芯片单...

本发明公开一种嵌入式芯片扇出型封装结构及其制备方法，涉及集成电路封装技术领域。嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供基板，并在基板上开设若干设计尺寸大于芯片尺寸的嵌入槽；S20、将基板的第一面贴于临时胶膜上，并将芯...

本发明公开一种嵌入式芯片扇出型封装结构及其制备方法，涉及集成电路封装技术领域。嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法包括以下步骤：提供基板，在基板上开设若干第一通孔和若干嵌入槽；将基板的第一面贴于临时胶膜上，并将芯片贴于嵌入槽内；在基板的第...

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种芯片塑封体双面电镀结构，包括：芯片塑封体，包括若干芯片和包覆芯片的第一塑封层；芯片塑封体沿其厚度方向开设有若干通孔和使芯片I/O口外露的若干盲孔；位于通孔侧壁、盲孔侧壁以及芯片塑封体两侧的第一种...

本发明公开一种全玻璃堆叠封装结构及其制备方法，涉及集成电路封装技术领域。其中，全玻璃堆叠封装结构的制备方法包括以下步骤：S1、提供均带有玻璃基板的嵌入式芯片扇出型封装结构和玻璃金属化线路结构，将嵌入式芯片扇出型封装结构的金属凸块与玻璃金...

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种芯片塑封体双面电镀结构及其制备方法。其中，制备方法包括以下步骤：制备芯片塑封体，使芯片包裹于第一塑封层内；对芯片塑封体进行开孔处理，形成通孔和使芯片的I/O口外露的盲孔；通过直流电镀或脉冲电镀同步在...

本实用新型公开一种含射频芯片的集成电路封装结构，包括：第一塑封层和线路结构，线路结构具有第一区域和第二区域；屏蔽壁，嵌入至第一塑封层内且位于第一区域四周，屏蔽壁一端与线路结构连接；若干导电柱，嵌入至第一塑封层内且分布于第二区域内，导电柱...

本发明提供了一种基于玻璃基板的封装结构及封装方法，该封装结构包括玻璃基板以及介电层，玻璃基板开设有用于安装芯片的凹槽，凹槽及凹槽的表面布有线路层，芯片位于凹槽内且与线路层电连接，介电层上开有孔洞，孔洞内设有用于电气连接的铜柱，在铜柱上方...

本发明公开一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法，包括：提供基板，在基板上制作线路结构，线路结构具有第一区域和第二区域；在第一区域四周制作围墙式屏蔽壁，在第二区域四周制作若干间隔设置的导电柱；提供至少一第一芯片和若干第二芯片，第一芯...

本发明提供了一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其包括如下步骤：S1，提供玻璃基板；S2，在玻璃基板的表面设置掩膜板；S3，对掩膜板进行开孔以获取预设图案；S4，在掩膜板的孔洞中沉积一层纳米金属；S5，通过蚀刻液对玻璃基板进行蚀刻；S6...

本发明公开一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。其中，基于薄膜电容的扇出型封装基板结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供薄膜电容，薄膜电容由电容层和位于电容层两侧的第一铜箔层和第二铜箔层组成；S20、...

本发明公开一种扇出型封装基板结构的制备方法，包括以下步骤：S10、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对ASIC芯片和核心元器件进行塑封，形成包覆ASIC芯片和核心元器件的塑封层；S20、在塑封层一侧制作第一线路结构；S3...

本发明公开一种基于可分离铜箔载板的扇出型封装基板结构及其制备方法。其中，基于可分离铜箔载板的扇出型封装基板结构的制备方法包括：提供可分离铜箔载板，可分离铜箔载板的一侧具有可剥离型铜箔层；在可剥离型铜箔层上制作线路结构及固定与该线路结构电...

本实用新型属于芯片互连技术领域，特别涉及一种高集成密度的芯片互连结构及封装结构。该芯片互连结构包括集成束，集成束呈束状，集成束包括介电层和多个导电线路，介电层包覆在多个导电线路的外表面，导电线路贯穿介电层且暴露在集成束相对设置的两端面。...

本实用新型属于芯片封装技术领域，特别涉及一种多芯片封装结构，该封装结构包括具有线路层的柔性电路板，柔性电路板包括多个连接区和多个贴片区，至少一个贴片区设置有空缺区，贴片区在除空缺区之外的区域设置有芯片，空缺区设置有散热片和无源器件的至少...

本实用新型属于芯片互连技术领域，特别涉及一种芯片互连结构。该芯片互连结构包括至少一个芯片模组组合，每个芯片模组组合包括两个相对设置的芯片模组，每个芯片模组各自向其几何中心电性引出，每个芯片模组组合的芯片模组通过导电线路电性连接，每个芯片...

本实用新型公开一种基于引线框架的高散热单面塑封结构，包括引线框架，引线框架沿其厚度方向具有背向设置的第一面和第二面，且引线框架沿其厚度方向开设有第一孔位；晶片，晶片通过固晶胶粘贴于引线框架的第一面；包覆引线框架和晶片的塑封层，塑封层沿其...