一种扇出型封装基板结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种扇出型封装基板结构的制备方法，包括以下步骤：S10、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对ASIC芯片和核心元器件进行塑封，形成包覆ASIC芯片和核心元器件的塑封层；S20、在塑封层一侧制作第一线路结构；S30、在塑封层内制作导电柱以及在塑封层的另一侧制作第二线路结构，并使第二线路结构通过导电柱与第一线路结构电连接，制得基板；S40、对基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。本发明专利技术通过扇出型技术将ASIC芯片和集成电容/电阻模块的核心元器件封装成基板替代传统的PCB，以实现MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品的使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。低生产成本。低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装基板结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种扇出型封装基板结构的制备方法及采用该制备方法制得的扇出型封装基板结构。

技术介绍

[0002]MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风，以其灵敏度高、功耗低、频率响应平坦等诸多优点而备受人们的关注，并成为当今麦克风市场的主流，传统的MEMS麦克风一般包括PCB，PCB上粘贴有MEMS芯片和ASIC芯片，PCB上安装有罩住MEMS芯片和ASIC芯片的外壳，PCB上设有音孔，MEMS芯片与PCB芯片构成电连接，这样，当声音通过音孔时，MEMS芯片便对该声音震动产生反应，并将该声音信号转换成代表该声音信号的电信号，该电信号通过导线输送到PCB上的ASIC芯片，再由ASIC芯片作信号处理后通过PCB将电信号传输到外部电子设备上。
[0003]现有技术中的MEMS麦克风安装在设备中使用时，MEMS麦克风容易因受到外力的作用而出现晃动，从而使MEMS麦克风容易受到干扰，最终导致MEMS麦克风的灵敏度出现变化，缩短了MEMS麦克风的使用寿命，降低了MEMS麦克风的实用性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种扇出型封装基板结构的制备方法，通过扇出型技术将ASIC芯片和集成电容/电阻模块的核心元器件封装成基板替代传统的PCB，以实现MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品的使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。
[0005]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：/>[0006]提供一种扇出型封装基板结构的制备方法，包括以下步骤：
[0007]S10、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对所述ASIC芯片和所述核心元器件进行塑封，形成包覆所述ASIC芯片和所述核心元器件的塑封层；
[0008]S20、在所述塑封层一侧制作第一线路结构；
[0009]S30、在所述塑封层内制作导电柱以及在所述塑封层的另一侧制作第二线路结构，并使所述第二线路结构通过所述导电柱与所述第一线路结构电连接，制得基板；
[0010]S40、对所述基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。
[0011]本专利技术通过通过扇出型技术将ASIC芯片和集成电容/电阻模块的核心元器件封装成基板替代传统的PCB，以实现MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品的使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。
[0012]进一步地，步骤S10具体包括以下步骤：
[0013]S10a、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，将所述ASIC芯片和所述核心元器件倒装贴于载板上；
[0014]S10b、对所述ASIC芯片和所述核心元器件进行塑封，形成包覆所述ASIC芯片和所述核心元器件的塑封层。
[0015]进一步地，步骤S20具体为：在所述塑封层远离所述载板的一侧制作图形化的第一线路层，即所述第一线路结构。具体地，可通过电镀在塑封层远离所述载板的一侧制作金属层例如铜层，然后在金属层上贴感光膜，曝光显影后对外露于感光膜的金属层进行刻蚀处理，去除残留的感光膜，即可制得图形化的第一线路层。
[0016]进一步地，步骤S30具体包括以下步骤：
[0017]S30a、拆键合，即使包裹有ASIC芯片和核心元器件的塑封层与载板分离，然后将所述第一线路层通过临时键合胶贴于载板上；
[0018]S30b、在所述塑封层远离所述第一线路层的一侧制作第一绝缘层(ABF材质)；
[0019]S30c、通过镭射对所述第一绝缘层和所述塑封层进行开孔处理，形成使所述ASIC芯片和所述核心元器件的I/O口外露的第一孔结构和使所述第一线路层部分外露的第二孔结构；
[0020]S30d、在所述第二孔结构内制作第一连接柱、在所述第一孔结构内制作导电柱以及在第一绝缘层表面制作图形化的第二线路层，并使第一连接柱和所述导电柱分别与所述第二线路层电连接；具体地，可通过电镀在第二孔结构内填充金属形成第一连接柱，在所述第一孔结构内填充金属形成导电柱以及在第一绝缘层表面制作金属层，依次通过贴感光膜、曝光显影、蚀刻，去除残留的感光膜，从而制得图形化的第二线路层。
[0021]进一步地，步骤S30还包括以下步骤：
[0022]S30e、在所述第二线路层上制作第二绝缘层(ABF材质)；
[0023]S30f、通过镭射对所述第二绝缘层进行开孔处理，形成使所述第二线路层部分外露的第三孔结构；
[0024]S30g、在所述第三孔结构内制作第二连接柱以及在所述第二绝缘层表面制作图形化的第三线路层，并使所述第二线路层分别与所述第二连接柱和所述第三线路层电连接；具体地，可通过电镀在第三孔结构内填充金属制得第二连接柱、在第二绝缘层表面制作金属层例如铜层，依次通过贴感光膜、曝光显影、蚀刻，去除残留的感光膜，从而制得图形化的第三线路层。
[0025]进一步地，步骤S30还包括以下步骤：
[0026]拆键合，使第一线路层外露，然后在所述第一线路层上制作第一阻焊层以及在所述第三线路层上制作第二阻焊层；分别对所述第一阻焊层和所述第二阻焊层进行开孔处理，使所述第一线路层的焊盘区和所述第三线路层的焊盘区外露。具体地，拆键合后，使第一线路层外露，在第一线路层上涂覆感光油墨，固化后形成第一阻焊层，对第一阻焊层曝光显影处理，使第一线路层的焊盘区外露；在第三线路层上涂覆感光油墨，固化后形成第二阻焊层，对第二阻焊层曝光显影处理，使第三线路层的焊盘区外露。
[0027]本专利技术还提供一种采用上述制备方法制得的扇出型封装基板结构，包括基板和沿所述基板的厚度方向开设的声孔，所述基板包括：
[0028]ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件；
[0029]塑封层，沿其厚度方向具有第一侧面和第二侧面，所述塑封层包裹所述ASIC芯片和所述核心元器件，且所述ASIC芯片和所述核心元器件的I/O口与所述塑封层的第一侧面平齐；
[0030]第一线路结构，位于所述塑封层的第二侧面；
[0031]导电柱，嵌于所述塑封层内并沿所述所述塑封层的厚度方向贯穿所述塑封层，所述导电柱的一端与所述第一线路结构电连接；
[0032]第二线路结构，位于所述塑封层的第一侧面并与所述ASIC芯片和所述核心元器件的I/O口电连接。
[0033]进一步地，所述第二线路结构包括相互电连接的第二线路层和第三线路层，所述第二线路层与所述ASIC芯片和所述核心元器件的I/O口电连接，所述第三线路层位于所述第二线路层远离所述塑封层的一侧，所述第三线路层的下方设有覆盖所述第二线路层和所述塑封层的绝缘层，所述导电柱延伸至所述绝缘层内与所述第二线路层电连接。
[0034]进一步地，所述第二线路结构还包括第一连接柱和第二连接柱，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述塑封层与所述第二线路层之间，所述第一连接柱贯穿所述第一绝缘层并分别与所述第二线路层和ASIC芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，对所述ASIC芯片和所述核心元器件进行塑封，形成包覆所述ASIC芯片和所述核心元器件的塑封层；S20、在所述塑封层一侧制作第一线路结构；S30、在所述塑封层内制作导电柱以及在所述塑封层的另一侧制作第二线路结构，并使所述第二线路结构通过所述导电柱与所述第一线路结构电连接，制得基板；S40、对所述基板开声孔处理，制得扇出型封装基板结构。2.根据权利要求1所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤S10具体包括以下步骤：S10a、提供ASIC芯片及集成电容/电阻模块的核心元器件，将所述ASIC芯片和所述核心元器件倒装贴于载板上；S10b、对所述ASIC芯片和所述核心元器件进行塑封，形成包覆所述ASIC芯片和所述核心元器件的塑封层。3.根据权利要求1所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤S20具体为：在所述塑封层远离所述载板的一侧制作图形化的第一线路层，即所述第一线路结构。4.根据权利要求3所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤S30具体包括以下步骤：S30a、拆键合，然后将所述第一线路层贴于载板上；S30b、在所述塑封层远离所述第一线路层的一侧制作第一绝缘层；S30c、对所述第一绝缘层和所述塑封层进行开孔处理，形成使所述ASIC芯片和所述核心元器件的I/O口外露的第一孔结构和使所述第一线路层部分外露的第二孔结构；S30d、在所述第一孔结构内制作第一连接柱、在所述第二孔结构内制作导电柱以及在所述第一绝缘层表面制作图形化的第二线路层，并使所述第一连接柱和所述导电柱分别与所述第二线路层电连接。5.根据权利要求4所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤S30还包括以下步骤：S30e、在所述第二线路层上制作第二绝缘层；S30f、对所述第二绝缘层进行开孔处理，形成使所述第二线路层部分外露的第三孔结构；S30g、在所述第三孔结构内制作第二连接柱以及在所述第二绝缘层表面制作图形化的第三线路层，并使所述第二线路层分别与所述第二连接柱和所述第三线路层电连接。6.根据权利要求5所述的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，步骤S30还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，崔成强，张鸿平，何键豪，刘宇，单欣，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：