一种芯片塑封体双面电镀结构制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种芯片塑封体双面电镀结构，包括：芯片塑封体，包括若干芯片和包覆芯片的第一塑封层；芯片塑封体沿其厚度方向开设有若干通孔和使芯片I/O口外露的若干盲孔；位于通孔侧壁、盲孔侧壁以及芯片塑封体两侧的第一种子层；填充于通孔内的第一导电柱、盲孔内的第二导电柱以及位于芯片塑封体两侧的第一种子层上的第一重布线层。本实用新型专利技术中，芯片塑封体两侧的第一重布线层通过填充于芯片塑封体的通孔内的第一导电柱同步连接，从而实现功能芯片之间的信号互连和贯通。与现有技术相比，该芯片塑封体双面电镀结构的制备工艺流程简单，其生产效率高，生产成本低，且良品率也得到提高。且良品率也得到提高。且良品率也得到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片塑封体双面电镀结构


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种芯片塑封体双面电镀结构。

技术介绍

[0002]随着半导体领域的发展，微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。而不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着封装工艺和技术的发展，芯片向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。而芯片塑封体的两面电镀则是现在封装工艺的一个关键环节，电镀效果的好坏直接影响芯片的性能和使用。
[0003]目前对芯片塑封体两面电镀的流程是分开的，即先对芯片塑封体一面进行电镀处理，再镀芯片塑封体的另一面进行电镀处理，该工艺流程复杂，成本高，良品率相对较低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种芯片塑封体双面电镀结构，其制备方法相对简单，生产成本低，且良品率高。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]一方面，提供一种芯片塑封体双面电镀结构，包括：
[0007]芯片塑封体，所述芯片塑封体包括若干芯片和包覆所述芯片的第一塑封层；所述芯片塑封体沿其厚度方向开设有贯穿所述芯片塑封体的若干通孔和使所述芯片的I/O口外露的若干盲孔；
[0008]位于所述通孔侧壁、所述盲孔侧壁以及所述芯片塑封体两侧的第一种子层；
[0009]填充于所述通孔内的第一导电柱、填充于所述盲孔内的第二导电柱以及位于所述芯片塑封体两侧的第一种子层上的第一重布线层；
[0010]所述芯片塑封体其中一侧的所述第一重布线层通过所述第二导电柱与所述芯片的I/O口连接，以及通过第一导电柱与另一侧的所述第一重布线层连接。
[0011]本技术中，芯片塑封体两侧的第一重布线层通过填充于芯片塑封体的通孔内的第一导电柱同步连接，从而实现功能芯片之间的信号互连和贯通。与现有技术相比，该芯片塑封体双面电镀结构的制备工艺流程简单，其生产效率高，生产成本低，且良品率也得到提高。
[0012]本技术中，芯片的数量为至少两个。
[0013]其中，通孔的第一导电柱、盲孔内的第二导电柱以及芯片塑封体两侧的第一重布线层为采用直流电镀或脉冲电镀方法通过双面电镀制得，从而实现芯片之间的信号互连和贯通。
[0014]作为芯片塑封体双面电镀结构的一种优选方案，所述通孔为X型通孔或垂直型通孔，优选为X型通孔。
[0015]作为芯片塑封体双面电镀结构的一种优选方案之一，还包括具有导电性的防氧化
层，所述防氧化层位于所述芯片塑封体两侧的所述第一重布线层远离所述芯片塑封体的一侧。
[0016]作为芯片塑封体双面电镀结构的一种优选方案，所述芯片塑封体双面电镀结构还包括：
[0017]第三导电柱，所述第三导电柱位于芯片塑封体的其中一侧第一重布线层的一侧；
[0018]第二塑封层，所述第二塑封层位于该第一重布线层的一侧并包覆该第三导电柱，且第三导电柱的端面外露于第二塑封层；
[0019]位于所述第二塑封层一侧并与所述第三导电柱连接的第二种子层以及位于该第二种子层上的第二重布线层。
[0020]作为芯片塑封体双面电镀结构的一种优选方案，所述芯片塑封体双面电镀结构还包括：
[0021]介电层，所述第一塑封层的两侧分别具有一层所述介电层，且所述介电层位于所述第一塑封层与所述第一种子层之间。通过设置介电层可以提高产品的整体强度。
[0022]作为芯片塑封体双面电镀结构的一种优选方案之二，还包括具有导电性的防氧化层，所述防氧化层位于所述第二重布线层远离所述芯片塑封体的一侧以及位于远离所述第二重布线层的第一重布线层的一侧。
[0023]本技术中，上述芯片塑封体双面电镀结构的制备方法包括以下步骤：
[0024]S10、制备芯片塑封体，使芯片包裹于第一塑封层内；
[0025]S20、对芯片塑封体进行开孔处理，形成贯穿芯片塑封体的通孔和使芯片的I/O口外露的盲孔；
[0026]S30、通过双面电镀同步在通孔内制作第一导电柱、在盲孔内制作第二导电柱以及在芯片塑封体的双面同步制作与第一导电柱和第二导电柱连接的第一重布线层；
[0027]其中，所述双面电镀采用的是直流电镀或脉冲电镀。
[0028]本技术通过对芯片塑封体开通孔和盲孔，配合直流电镀或脉冲电镀，可以实现在芯片塑封体的通孔、盲孔内同步制作第一导电柱和第二导电柱，以及在芯片塑封体的两侧同步制作第一重布线层，从而实现功能芯片之间的信号互连和贯通。与现有的单面电镀相比，可缩短工艺流程，提升生产效率，降低成本，良品率也能得到相应的提高。
[0029]作为芯片塑封体双面电镀结构的制备方法的一种优选方案，所述通孔为X型通孔或垂直型通孔，均适用于采用直流电镀或脉冲电镀进行双面电镀。
[0030]优选地，通孔为X型通孔，可以进一步提高双面电镀效果，提高产品良率。
[0031]作为芯片塑封体双面电镀结构的制备方法的一种优选方案，步骤S10具体包括以下步骤：
[0032]S10a、提供载板和芯片，将所述芯片贴于所述载板上；
[0033]S10b、采用塑封料对所述芯片进行塑封，形成包覆所述芯片的第一塑封层；
[0034]S10c、拆除所述载板，制得所述芯片塑封体。
[0035]作为芯片塑封体双面电镀结构的制备方法的另一种优选方案，
[0036]步骤S10具体包括以下步骤：
[0037]S10a、提供载板和芯片，将所述芯片贴于所述载板上；
[0038]S10b、采用塑封料对所述芯片进行塑封，形成包覆所述芯片的第一塑封层；
[0039]S10c、拆除所述载板；
[0040]S10d、在第一塑封层的两侧分别制备介电层，制得所述芯片塑封体。
[0041]进一步地，S10a中，先将胶膜贴于载板的一侧，然后通过贴片机将芯片的正面(不限于正面，也可以为背面)固定在胶膜上；其中，载板材料可为SUS、Prepreg(BT)、FR4、FR5、glass、PP、EMC、PI等；胶膜材料包括但不限于临时键合胶、DAF膜、PI膜、干膜、ABF膜以及类ABF胶膜中的任一种。
[0042]进一步地，S10b中，塑封料材料包括但不限于EMC、ABF、PI、PP中的任一种。
[0043]进一步地，S10c中，需拆除载板，并使胶膜与芯片分离。
[0044]进一步地，S10d中，在第一塑封层的两侧分别制备介电层，制得所述芯片塑封体。
[0045]作为芯片塑封体双面电镀结构的制备方法的一种优选方案，步骤S20具体为：避开所述芯片的位置对芯片塑封体沿其厚度方向开设通孔以及在芯片塑封体对应芯片I/O口的位置开设使I/O口外露的盲孔。
[0046]具体地，采用钻孔工艺对塑封层开设上下贯通的通孔及延伸至芯片I/O口(输出端)的盲孔，所述钻孔工艺包括但不限于激光开孔、机械钻孔、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片塑封体双面电镀结构，其特征在于，包括：芯片塑封体，所述芯片塑封体包括若干芯片和包覆所述芯片的第一塑封层；所述芯片塑封体沿其厚度方向开设有贯穿所述芯片塑封体的若干通孔和使所述芯片的I/O口外露的若干盲孔；位于所述通孔侧壁、所述盲孔侧壁以及所述芯片塑封体两侧的第一种子层；填充于所述通孔内的第一导电柱、填充于所述盲孔内的第二导电柱以及位于所述芯片塑封体两侧的第一种子层上的第一重布线层；所述芯片塑封体其中一侧的所述第一重布线层通过所述第二导电柱与所述芯片的I/O口连接，以及通过第一导电柱与另一侧的所述第一重布线层连接。2.根据权利要求1所述的芯片塑封体双面电镀结构，其特征在于，所述通孔为X型通孔或垂直型通孔。3.根据权利要求1所述的芯片塑封体双面电镀结构，其特征在于，还包括具有导电性的防氧化层，所述防氧化层位于所述芯片塑封体两侧的所述第一重布线层远离所述芯片塑封体...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，张哲，华显刚，徐炬财，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，
类型：新型
国别省市：