一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法技术

本发明专利技术提供了一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其包括如下步骤：S1，提供玻璃基板；S2，在玻璃基板的表面设置掩膜板；S3，对掩膜板进行开孔以获取预设图案；S4，在掩膜板的孔洞中沉积一层纳米金属；S5，通过蚀刻液对玻璃基板进行蚀刻；S6，移除掩膜板并清洗玻璃基板，完成蚀刻。本发明专利技术可以有效防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题。导致玻璃整体厚度不可控的问题。导致玻璃整体厚度不可控的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法。

技术介绍

[0002]自摩尔定律提出以来，集成电路遵循着摩尔定律飞速发展，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18
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24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。集成电路的尺寸已经可以缩小到纳米级别，并逐渐接近其物理极限时，缩小特征尺寸的方法已经无法进一步提高集成电路的性能和功能。但是微电子市场的需求仍在持续增长，集成电路的发展面临着一系列的问题与挑战。
[0003]三维集成技术可以解决上述的问题。相较于传统的平面电路，三维集成技术在垂直方向上进行芯片的堆叠和集成，在不需要进一步缩小器件特征尺寸的条件下，提高了电路的集成度。三维集成技术可以集成多种材料、多种工艺及多种功能的芯片于一体，明显地改进电路的电子性能。基于TSV垂直互连的叠层封装方式以其短距离互连和高密度集成的关键技术优势，逐渐引领了封装技术发展的趋势。
[0004]现有的激光辅助蚀刻玻璃通孔(TGV)方法是将经过皮秒激光改性的玻璃浸泡于蚀刻液中进行蚀刻。然而该方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控，有待改进。

技术实现思路

[0005]基于此，为了解决现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题，本专利技术提供了一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其具体技术方案如下：
[0006]一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其包括如下步骤：
[0007]S1，提供玻璃基板。
[0008]S2，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板。
[0009]S3，对所述掩膜板进行开孔以获取预设图案。
[0010]S4，在所述掩膜板的孔洞中沉积一层纳米金属。
[0011]S5，通过蚀刻液对所述玻璃基板进行蚀刻。
[0012]S6，移除所述掩膜板并清洗所述玻璃基板，完成蚀刻。
[0013]通过在所述掩膜板的孔洞中沉积一层纳米金属，并将蚀刻液倒入所述掩膜板中以对所述玻璃基板进行蚀刻，可以有效防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题。
[0014]进一步地，在步骤S2中，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板前，先对所述玻璃基板的表面进行预处理。
[0015]进一步地，所述预处理包括酸洗、碱洗以及干燥。
[0016]进一步地，在步骤S3中，所述开孔的方法包括激光开孔以及机械钻孔。
[0017]进一步地，所述掩膜板由四氟龙、聚乙烯、聚丙烯或机树脂材料制成。
[0018]进一步地，在步骤S4中，所述沉积的方法包括磁控溅射以及涂覆。
[0019]进一步地，所述纳米金属为金、银、铂、钛或铜。
[0020]进一步地，所述孔洞的形状为长方形或圆形。
[0021]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，当所述计算机程序被处理器执行时实现所述的玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法。
附图说明
[0022]从以下结合附图的描述可以进一步理解本专利技术。图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在示出实施例的原理上。在不同的视图中，相同的附图标记指定对应的部分。
[0023]图1是本专利技术一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法的整体流程示意图；
[0024]图2是本专利技术一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S2的效果示意图；
[0025]图3是本专利技术一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S3的效果示意图；
[0026]图4是本专利技术一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S4的效果示意图；
[0027]图5是本专利技术一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S5的效果示意图；
[0028]图6是本专利技术一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S6的效果示意图。
[0029]附图标记说明：
[0030]1.玻璃基板；2、掩膜板；3、孔洞；4、纳米金属。
具体实施方式
[0031]为了使得本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合其实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。
[0032]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0033]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0034]本专利技术中所述“第一”、“第二”不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。
[0035]实施例一：
[0036]如图1所示，一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其包括如下步骤：
[0037]S1，提供玻璃基板1。
[0038]S2，在所述玻璃基板1的表面设置掩膜板2，如图2所示。
[0039]优选地，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板2前，先对所述玻璃基板的表面进行预处理，以保证玻璃基板表面的清洁。具体而言，所述预处理的方法包括酸洗、碱洗以及干燥。
[0040]S3，对所述掩膜板2进行开孔以获取预设图案，如图3所示。
[0041]S4，在所述掩膜板2的孔洞3中沉积一层纳米金属4，如图4所示。
[0042]S5，通过蚀刻液对所述玻璃基板进行蚀刻，如图5所示。
[0043]作为一种优选的技术方案，在通过蚀刻液对所述玻璃基板进行蚀刻时，可以加入超声振动提高蚀刻速率。
[0044]S6，移除所述掩膜板2并清洗所述玻璃基板，完成蚀刻，如图6所示。
[0045]由于部分纳米金属4沉积在所述掩膜板2的孔洞3中，其余纳米金属4沉积在掩膜板2的表面并不会影响蚀刻的进行，故而将蚀刻液倒入所述掩膜板2中，可以对所述玻璃基板进行选择性蚀刻，不会导致玻璃基本1整体减薄。
[0046]即是说，所述玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法通过在所述掩膜板2的孔洞3中沉积一层纳米金属4，并将蚀刻液倒入所述掩膜板2中以对所述玻璃基板进行蚀刻，可以有效防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题。
[0047]实施例二：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供玻璃基板；S2，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板；S3，对所述掩膜板进行开孔以获取预设图案；S4，在所述掩膜板的孔洞中沉积一层纳米金属；S5，通过蚀刻液对所述玻璃基板进行蚀刻；S6，移除所述掩膜板并清洗所述玻璃基板，完成蚀刻。2.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，在步骤S2中，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板前，先对所述玻璃基板的表面进行预处理。3.如权利要求2所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，所述预处理包括酸洗、碱洗以及干燥。4.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，在步骤S3中，所述开孔的方法包括激光开孔以及机...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，刘宇，华显刚，崔成强，林挺宇，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：