一种集成门极吸收电路的功率半导体模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，属于芯片技术领域。所述功率半导体模块包括：基板；硅芯片，包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻，所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上；功率半导体芯片，包括多个门极端子；第一引线，所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接，所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接；以及第二引线，所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子连接，所述第二引线的另一端与所述功率半导体芯片的另一个门极端子连接。该功率半导体模块在满足滤除开关过程中门极电压波形的震荡和尖峰的需求的情况下降低了系统的设计体积。

【技术实现步骤摘要】
一种集成门极吸收电路的功率半导体模块
本技术涉及芯片
，具体地涉及一种集成门极吸收电路的功率半导体模块。
技术介绍
功率半导体模块，如IGBT、MOSFET等，为了滤除开关过程中门极电压波形的振荡和尖峰，调节功率半导体器件的开关速度和开关损耗，一般需要外接门极吸收电容或RC吸收电路网络，或在功率半导体模块内部集成分立的吸收电容、阻尼电阻等无源元件。外接的吸收电路，以及功率半导体模块内部集成的吸收电容、阻尼电阻，均会占据一定的空间，影响整体系统的结构布局，不利于系统的小型化、集成化。
技术实现思路
本技术实施方式的目的是提供一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，该功率半导体模块在滤除开关过程中门极电压波形的震荡和尖峰的情况下，降低了系统的设计体积。为了实现上述目的，本技术实施方式提供一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，所述功率半导体模块包括：基板；硅芯片，包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻，所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上；功率半导体芯片，包括多个门极端子；第一引线，所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接，所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接；以及第二引线，所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子连接，所述第二引线的另一端与所述功率半导体芯片的另一个门极端子连接。可选地，所述门极吸收电容位于所述硅芯片的下半部，所述阻尼电阻位于所述硅芯片的上半部。可选地，所述功率半导体模块包括多个并联的所述功率半导体芯片，每个所述功率半导体芯片均对应设置有所述硅芯片、所述第一引线以及所述第二引线。通过上述技术方案，本技术提供的一种集成门极吸收电路的功率半导体模块通过将门极吸收电容和阻尼电阻集成在一块硅芯片上，并与功率半导体芯片封装在一块基板上，在满足滤除开关过程中门极电压波形的震荡和尖峰的需求的情况下降低了系统的设计体积。本技术实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本技术实施方式的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术实施方式，但并不构成对本技术实施方式的限制。在附图中：图1是根据本技术的一个实施方式的一种集成门极吸收电路的功率半导体模块的结构示意图；图2是根据本技术的一个实施方式的一种集成门极吸收电路的功率半导体模块的电路图。具体实施方式以下结合附图对本技术实施方式的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术实施方式，并不用于限制本技术实施方式。在本技术实施方式中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的或者是针对竖直、垂直或重力方向上而言的各部件相互位置关系描述用词。另外，若本技术实施方式中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施方式之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。如图1所示是根据本技术的一个实施方式的一种集成门极吸收电路的功率半导体模块的结构示意图。在图1中，该功率半导体模块可以包括基板01、硅芯片02、功率半导体芯片03、第一引线04以及第二引线05。其中，硅芯片02可以设置于基板01的上表面，可以包括门极吸收电容02a和阻尼电阻02b。该门极吸收电容02a可以通过硅电容技术与阻尼电阻02b连接，从而在确保电连接稳定的情况下，极可能地降低系统的设计体积。进一步地，该门极吸收电容02a可以设置于该硅芯片02的下半部，该阻尼电阻02b可以设置于该硅芯片02的上半部。那么对应地，该门极吸收电容02a的一个接线端子可以作为该硅芯片02的背面端子，该门极吸收电容02a的另一个接线端子可以与阻尼电阻02b的一个接线端子连接，该阻尼电阻02b的另一个接线端子可以作为该硅芯片02的正面端子。由于该硅芯片02设置于基板01上，那么该硅芯片02的背面端子可以直接设置于该基板01中。在本技术的另一个示例中，该门极吸收电容02a也可以设置于该硅芯片02的上半部，该阻尼电阻02b也可以设置于该硅芯片02的下半部。那么对应地，该门极吸收电容02a的一个接线端子可以作为该硅芯片02的正面端子，该门极吸收电容02a的另一个接线端子可以与阻尼电阻02b的一个接线端子连接，该阻尼电阻02b的另一个接线端子则可以作为该硅芯片02的背面端子。功率半导体芯片03可以包括多个门极端子。在该阻尼电阻02b位于该硅芯片02的上半部、该门极吸收电容02a位于该硅芯片02的下半部的情况下，该功率半导体模块的电路图可以是如图2所示。第一引线04的一端可以与硅芯片02的正面端子连接，该第一引线04的另一端可以与功率半导体芯片03的一个门极端子连接。第二引线05的一端可以与硅芯片02的背面端子连接，第二引线05的另一端可以与功率半导体芯片03的另一个门极端子连接。另外，在本技术的一个实施方式中，该基板01上可以并联有多个功率半导体芯片03，每个功率半导体芯片03均可以对应设置有硅芯片02、第一引线04以及第二引线05，从而进一步降低了系统的设计体积。通过上述技术方案，本技术提供的一种集成门极吸收电路的功率半导体模块通过将门极吸收电容和阻尼电阻集成在一块硅芯片上，并与功率半导体芯片封装在一块基板上，在满足滤除开关过程中门极电压波形的震荡和尖峰的需求的情况下降低了系统的设计体积。以上结合附图详细描述了本技术例的可选实施方式，但是，本技术实施方式并不限于上述实施方式中的具体细节，在本技术实施方式的技术构思范围内，可以对本技术实施方式的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本技术实施方式的保护范围。另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本技术实施方式对各种可能的组合方式不再另行说明。此外，本技术实施方式的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本技术实施方式的思想，其同样应当视为本技术实施方式所公开的内容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块包括：/n基板；/n硅芯片，包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻，所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上；/n功率半导体芯片，包括多个门极端子；/n第一引线，所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接，所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接；以及/n第二引线，所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子连接，所述第二引线的另一端与所述功率半导体芯片的另一个门极端子连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块包括：
基板；
硅芯片，包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻，所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上；
功率半导体芯片，包括多个门极端子；
第一引线，所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接，所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接；以及
第二引线，所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱楠，向礼，辛纪元，
申请(专利权)人：致瞻科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31