一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法技术

一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法，包括制作第一掩模板在第一孤立图形周围增加同等线宽的可分辨辅助图形，在第二孤立图形周围增加亚分辨率辅助图形，并通过OPC方法结合刻蚀工艺线宽微缩量要求修正使得密集图形、第一、第二孤立图形和可分辨辅助图形的光刻线宽达到各自工艺要求；在鳍式器件衬底上沉积一图形介质层和一刻蚀中间层；通过光刻和刻蚀工艺将第一掩模板图形转移到刻蚀中间层上；制作第二掩模板并进行二次曝光，露出刻蚀中间层上的密集图形、第一和第二孤立图形区域，遮蔽辅助图形区域；最后通过刻蚀中间层将露出的密集图形、第一和第二孤立图形转移到图形介质层上，以此来解决密集和孤立图形形貌和线宽差异的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法
本专利技术涉及半导体集成电路工艺
，特别是涉及一种改善鳍式器件(鳍式场效应晶体管器件FinField-EffectTransistor，FinFET)密集和孤立图形形貌线宽差异的方法。
技术介绍
在集成电路(IC)制造过程中，传统的平板晶体管(PlanarMOS)设计布图中既包括密集图形也包括孤立图形。在光刻工艺过程中，由于密集图形在光刻过程中接收的光较多，相邻图形之间间距较小，透过掩模板之间的光线存在衍射作用，而孤立图形接收的光较少，衍射作用不明显，从而造成密集图形与孤立图形之间形貌和线宽(关键尺寸，CD)的巨大差异。通常这种情况可以通过光学邻近效应校正(OpticalProximityCorrection，OPC)来解决，其是一种光刻增强技术，OPC主要在半导体器件的光刻过程中使用，目的是为了保证光刻过程中设计的图形的边缘得到完整的曝光，即在孤立图形周围加入一些亚分辨率的辅助图形(SRAF)来增强衍射作用。此外，在刻蚀过程中，由于图形密度不均匀还会出现刻蚀负载效应，刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1：制作用于对鳍式器件进行光刻的第一掩模板；其中，所述鳍式器件衬底上的不同位置分布有由线图形或沟槽图形或孔图形组成的密集图形和孤立图形，所述孤立图形包括第一孤立图形和第二孤立图形，所述第一孤立图形线宽大于等于最小线宽，小于等于最小周期，所述第二孤立图形线宽大于最小周期；其具体包括：/n步骤S11：根据版图设计要求的最小线宽和最小周期以及密集图形与孤立图形的定义区分筛选出第一孤立图形和第二孤立图形；/n步骤S12：在第一孤立图形的周围增加与第一孤立图形同等线宽大小的可分辨的辅助图形；并且所述第一孤立图形加辅...

【技术特征摘要】
1.一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：制作用于对鳍式器件进行光刻的第一掩模板；其中，所述鳍式器件衬底上的不同位置分布有由线图形或沟槽图形或孔图形组成的密集图形和孤立图形，所述孤立图形包括第一孤立图形和第二孤立图形，所述第一孤立图形线宽大于等于最小线宽，小于等于最小周期，所述第二孤立图形线宽大于最小周期；其具体包括：
步骤S11：根据版图设计要求的最小线宽和最小周期以及密集图形与孤立图形的定义区分筛选出第一孤立图形和第二孤立图形；
步骤S12：在第一孤立图形的周围增加与第一孤立图形同等线宽大小的可分辨的辅助图形；并且所述第一孤立图形加辅助图形的图形密集度与版图设计要求的最小线宽和最小周期组成的密集图形密集度保持一致；
步骤S2：提供所述鳍式器件衬底，在所述鳍式器件衬底上沉积一图形介质层和一刻蚀中间层；
步骤S3：在所述刻蚀中间层上从下到上依次沉积光刻抗反射层和光刻胶层，并使用所述第一掩模板进行光刻和刻蚀工艺，将所述第一掩模板图形转移到所述刻蚀中间层上；其中，所述刻蚀中间层上包括所述密集图形、第一孤立图形、第二孤立图形和可分辨的辅助图形；
步骤S4：制作第二掩模板，在第二掩模板上对应于上述第一掩模板密集图形、第一孤立图形、第二孤立图形区域为打开状态，而辅助图形区域都是遮蔽状态；
步骤S5：去除所述刻蚀中间层上的抗反射层和光刻胶，在所述刻蚀中间层上从下到上依次沉积新的光刻抗反射层和光刻胶层，并使用所述第二掩模板进行二次曝光显影，露出所述刻蚀中间层上的所述密集图形、第一孤立图形和第二孤立图形；
步骤S6：对所述刻蚀中间层进行刻蚀工艺，将露出的所述密集图形、第一孤立图形和第二孤立图形转移到所述图形介质层上；
步骤S7：去除所述鳍式场效应晶体管器件衬底上和所述图形介质层上的所述光刻胶、所述抗反射层及所述刻蚀中间层。


2.如权利要求1所述的改善鳍式器件密集和孤立...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭翔，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31