半导体元件的形成方法技术

一种形成半导体元件的方法，包含形成延伸穿过至少一个介电层的源极/漏极接触开口，以暴露出源极/漏极结构的源极/漏极接触区域。此方法还包含在源极/漏极接触开口中形成导电插塞。此方法还包含在导电插塞和至少一个介电层上方沉积光阻挡层。此方法还包含蚀刻光阻挡层以暴露导电插塞。此方法还包含将激光辐射引导至导电插塞和光阻挡层。激光辐射用以活化源极/漏极接触区域中的掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的形成方法
本公开涉及半导体元件的形成方法。
技术介绍
晶体管是集成电路的关键元件。为了满足越来越快的开关速度要求，晶体管需要越来越高的驱动电流。随着装置尺寸的缩小，晶体管的源极/漏极接触与源极/漏极结构之间的接触电阻成为限制装置性能的因素。高接触电阻会导致装置驱动电流降低，进而降低晶体管的性能。
技术实现思路
依据本公开的部分实施例，提供一种形成半导体元件的方法，包含：形成延伸穿过至少一介电层的多个源极/漏极接触开口，以暴露多个源极/漏极结构的多个源极/漏极接触区域；形成多个导电插塞于源极/漏极接触开口中；沉积光阻挡层于导电插塞和至少一介电层上；蚀刻光阻挡层以暴露导电插塞；以及将激光辐射引导至导电插塞和光阻挡层，激光辐射用于活化源极/漏极接触区域中的多个掺杂剂。依据本公开的部分实施例，提供一种形成半导体元件的方法，包含：形成场效应晶体管装置于基板上，场效应晶体管装置包含纳米结构通道、围绕纳米结构通道的栅极结构，以及在栅极结构的相对侧上的多个源极/漏极结构，栅极结构被第一介电层围绕；沉积第二介电层于栅极结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：/n形成延伸穿过至少一介电层的多个源极/漏极接触开口，以暴露多个源极/漏极结构的多个源极/漏极接触区域；/n形成多个导电插塞于所述多个源极/漏极接触开口中；/n沉积一光阻挡层于所述多个导电插塞和该至少一介电层上；/n蚀刻该光阻挡层以暴露所述多个导电插塞；以及/n将一激光辐射引导至所述多个导电插塞和该光阻挡层，该激光辐射用于活化所述多个源极/漏极接触区域中的多个掺杂剂。/n

【技术特征摘要】
20190930 US 16/588,4531.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：
形成延伸穿过至少一介电层的多个源极/漏极接触开口，以暴露多个源极/漏极结构的多个源极/漏极接触区域；
形成多个导...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱戴恩·杜瑞兹，马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔，马丁·克里斯多福·霍兰德，荷尔本·朵尔伯斯，乔治·凡利亚尼提斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71