一种高低压转换电路制造技术

一种高低压转换电路，其特征在于：包括基准电流产生电路、低压产生电路和输出稳压电路；其中，基准电流产生电路为低压产生电路提供基准电流；所述低压产生电路包括寄生ＰＮＰ、补偿电阻和低压ＭＯＳ管，寄生ＰＮＰ、补偿电阻和低压ＭＯＳ管为输出稳压电路提供稳定的驱动电压；所述驱动电压通过第一电流镜、在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路
，尤其涉及一种高低压转换电路。
技术介绍
在集成电路制造领域，最新的工艺首先被应用于数字芯片的生产和设计， 然后在工艺中加入一些模拟芯片需要的电阻、电容，以及寄生三极管等。但是， 电子代工厂提供的模拟工艺不能提供一些特殊模拟电路需要的器件，其中一种 器件就是齐纳管，齐纳管被广泛应用在稳压系统中，尤其是应用在涉及从高电 压到低电压转换的开关电源集成电路设计中。如果生产工艺提供齐纳管，可以通过图1所示的方式在芯片内部实现高低压转换。其中，由电流源I1提供基准电流，输入电压为VDD,齐纳管Z120稳 压后，经过由MOS管M101和MOS管M102组成的电流镜输出，输出电压VCC 近似等于齐纳管Z120的压降，经过电容C110稳压后可以作为低压模块电源使 用。但是由于齐纳管并不是标准器件，定制该器件需要较长时间，而且调试费 用较高，所以存在一定的弊端。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决由于高低压转换电路中使用齐纳管所带来的问题，提 供一种在标准代工厂工艺中，不需要使用稳压齐纳管而实现从高压到低压转换功能的电路。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案 一种高低压转换电路，包括 基准电流产生电路、低压产生电路和输出稳压电路；其中，基准电流产生电路 为低压产生电路提供基准电流；所述低压产生电路包括寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管，寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管为输出稳压电路提供稳定的 驱动电压；所述驱动电压通过第一电流镜、在输出稳压电路中通过稳压电容输 出稳定的低压。优选的是，所述的第一电流镜包括低压产生电路上的第十NMOS管和输出 稳压电路上的第十一 NMOS管；其中，第十NMOS管的栅极与漏极连接在一起， 所述基准电流输入其漏极；第十一NMOS管的漏极接入输入电压，源极与地之 间接入所述稳压电容；低压产生电路包括二个低压MOS管，分别为第八MOS 管和第九MOS管，二者各自的栅极与漏极连接在一起，第八MOS管与第十 NMOS管的源极和第九MOS管的连接关系保证第八MOS管和第九MOS管的 栅源电压处于二者的导通状态；第九MOS管与寄生PNP的发射极之间连接所 述补偿电阻，寄生PNP的集电极和基极接地。优选的是，所述的基准电流产生电路包括第二、三和四电流镜，其中，第 二电流镜包括二个尺寸相同的第一 PMOS管(M201)和第二 PMOS管(M202)， 二者的源极均接入输入电压，栅极彼此连接，第一PMOS管(M201)的栅极与 漏极连接在一起；第三电流镜包括第三NMOS管(M203)和第四NMOS管 (M204)， 二者的漏极分别与第一 PMOS管(M201)的漏极和第二 PMOS管 (M202)的漏极电连接，二者的栅极彼此连接在一起；第四NMOS管(M204)的漏极与栅极连接在一起;第四电流镜包括第五NMOS管(M205)和第六NMOS 管(M206)， 二者的漏极分别与第三NMOS管(M203)的源极和第四NMOS 管(M204)的源极电连接，二者的栅极彼此连接在一起，第六NMOS管(M206) 的漏极与栅极连接在一起，第六NMOS管(M206)的源极与地之间串接电阻 (R220);基准电流产生电路通过第五电流镜为低压产生电路提供基准电流，第 五电流镜包括所述第一 PMOS管(M201)和低压产生电路上的第七PMOS管 (M207)， 二者的栅极连接在一起，第七PMOS管(M207)的源极接入输入电 压，漏极与所述第十NMOS管(M210)的漏极电连接。优选的是，在所述输出稳压电路和低压产生电路之间增加负载补偿电路。优选的是，所述负载补偿电路包括第六电流镜，所述第六电流镜包括第十 三PMOS管和第十四PMOS管，二者的源极均接入输入电压，二者的栅极彼此 连接在一起，第十四PMOS管的栅极与漏极连接在一起；第十三PMOS管的漏 极与第十NMOS管的栅极电连接，第十四PMOS管的漏极与一第十二 NMOS 管的漏极电连接，所述第十二 NMOS管的栅极与第十NMOS管的栅极电连接， 源极与第十一 NMOS管的源极电连接。优选的是，所述电阻为负温度系数类型电阻；所述补偿电阻的材料与电阻 的材料相同；所述第十NMOS管和第十一NMOS管的尺寸相同。优选的是，所述第一 PMOS管(M201)、第二 PMOS管(M202)、第三NMOS 管(M203)和第四NMOS管(M204)、第七PMOS管(M207)，以及第十NMOS 管(M210)和第i^一 NMOS管(M211 )通过高压MOS管；第五NMOS管(M205) 和第六NMOS管(M206)为低压MOS管。本专利技术所述控制器的有益之处是 一方面，本专利技术所述的高低压转换电路 不需要使用齐纳二极管，均使用MOS管、三极管、电阻和电容等标准器件，不 需要额外定制，降低了芯片成本和调试费用；另一方面，高低压转换电路中的 部分MOS管通过低压工艺实现，较大地减小了实现面积。附图说明图1为现有高低压转换电路的示意图2为本专利技术所述高低压转换电路的第一实施例的示意图； 图3为本专利技术所述高低压转换电路的第二实施例的示意图； 图4为本专利技术所述高低压转换电路的第三实施例的示意图。具体实施例方式如图2所示的一种高低压转换电路，包括基准电流产生电路21、低压产生 电路22和输出稳压电路23。其中，基准电流产生电路21为低压产生电路22提 供基准电流；所述低压产生电路包括寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管，寄生 PNP、补偿电阻和低压MOS管为输出稳压电路提供稳定的驱动电压；所述驱动 电压通过由第一电流镜、在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压VCC。第一电流镜包括低压产生电路22上的第十NMOS管M210和输出稳压电路 23上的第十一NMOS管M211。其中，第十NMOS管M210的栅极与漏极连接 在一起，所述基准电流输入其漏极；第十一NMOS管M211的漏极接入输入电 压VDD，源极与地之间接入稳压电容C230，由稳压电容C230输出低压VCC。基准电流产生电路21可以采用如下结构-基准电流产生电路21包括第二、三和四电流镜。其中，第二电流镜包括二 个尺寸相同的第一 PMOS管M201和第二 PMOS管M202， 二者的源极均接入 输入电压VDD，栅极彼此连接，第一PMOS管M201的栅极与漏极连接在一起； 第三电流镜包括第三NMOS管M203和第四NMOS管M204， 二者的漏极分别 与第一PMOS管M201的漏极和第二 PMOS管的漏极M202电连接，二者的栅 极彼此连接，第四NMOS管M204的漏极与栅极连接在一起；第四电流镜包括 第五NMOS管M205和第六NMOS管M206， 二者的漏极分别与第三NMOS管 M203的源极和第四NMOS管M204的源极电连接，二者的栅极彼此连接，第 六NMOS管M206的漏极与栅极连接在一起，第六NMOS管M206的源极与地 之间串接电阻R220;基准电流产生电路21通过第五电流镜为低压产生电路22 提供基准电流，第五电流镜包括所述第一 PMOS管M201和低压产生电路22上 的第七PMOS管M207， 二者的栅极连接在一起，第七PMOS管M207的源极 接入输入电压。设第五NMOS管M205和第六本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高低压转换电路，其特征在于：包括基准电流产生电路、低压产生电路和输出稳压电路；其中，基准电流产生电路为低压产生电路提供基准电流；所述低压产生电路包括寄生ＰＮＰ、补偿电阻和低压ＭＯＳ管，寄生ＰＮＰ、补偿电阻和低压ＭＯＳ管为输出稳压电路提供稳定的驱动电压；所述驱动电压通过第一电流镜、在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王乐康，李照华，王蒙，
申请(专利权)人：深圳市明微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94