用于提供用于非常低电压应用的电荷泵的方法和系统技术方案

本发明专利技术揭示一种用于在半导体装置中提供大于电压供应所提供的电压的输出电压的方法和系统。所述方法和系统包含：提供多个时钟信号；提供第一级；以及提供第二级。所述第一级包含至少一第一抽吸节点（１４４′）、抽吸电容器（１４２）和与所述抽吸节点耦合的装置（１５６′），以及用于针对时钟的值为所述装置提供下冲的辅助电容器对（１５２／１６２）。所述辅助和抽吸电容器接收所述时钟信号的第一部分。所述第二级包含至少一第二抽吸节点。所述时钟信号的所述第一和第二部分被分别提供到所述第一和第二级。所述第一级和所述第二级经配置以基于所述时钟信号而交替地充电和完全放电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体技术，且更明确地说，涉及在低电压装置中产生较高电压。
技术介绍
例如EEPROM或快闪装置等半导体装置可能期望使用提供较低供应电压的电压供 应来运行。较低供应电压允许装置消耗较少功率并縮减为较小几何形状。举例来说，较 低电压期望用于例如智能卡中所使用的EEPROM等应用。尽管较低供应电压期望用于 半导体装置，但某些操作可能期望较高电压。举例来说，例如编程存储器单元等操作可 能需要高于供应电压的电压。为了获得较高电压，可使用常规电荷泵。图1描绘常规电荷泵10，其可用于将电压增加到高于供应电压或提供反极性电压。 常规电荷泵10包含常规电容器-二极管阶梯12和常规振荡器20,所述两者与电压供应 22耦合。常规电容器-二极管阶梯12包含电容器-二极管对13 (包含电容器14和二极管 24)、 15 (包含电容器16和二极管26)和17 (包含电容器18和二极管28)。常规振荡 器20输出时钟信号CLK禾tl CLKB。 二极管24、 26和28通常是充当二极管的NMOS装 置。信号CLKB是信号CLK的逆反形式。基于信号CLK和CLKB，电容器-二极管对13、 15和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在半导体装置中提供大于电压供应所提供的电压的输出电压的系统，所述系统包括：　至少一个时钟，其提供多个时钟信号；　第一级，其包含至少一第一抽吸节点、与所述至少第一抽吸节点耦合的至少一个抽吸电容器、与所述至少一个抽吸节点耦合 的至少一个装置，以及用于针对所述多个时钟信号的至少一个值为所述至少一个装置提供下冲的至少第一和第二辅助电容器，所述至少一个辅助电容器和所述至少一个抽吸电容器接收所述多个时钟信号的第一部分；以及　第二级，其与所述第一级耦合且包含至少一第 二抽吸节点，所述至少一个时钟将所述多个时钟信号的所述第一部分提供到所述第一级，且将所述多个时钟信号的第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃马纽埃尔拉卡佩，
申请(专利权)人：爱特梅尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]