一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法技术

本发明专利技术提供一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法，在基底上形成相互间隔的多个字线及间隔的选择管栅；在字线间的底部、字线侧壁及选择管栅侧壁形成一层氧化层；在字线间的间隙及字线与选择管栅间的间隙填充氮化硅；在选择管栅的侧壁形成侧墙；形成氧化硅层及氮化硅层，在选择管栅之间填充氧化物；回刻使字线头部及选择管栅头部露出；生长保护层覆盖选择管栅之间的上表面；去除字线间隙中的氮化硅；在选择管栅上形成金属硅化物；沉积介质层使的字线之间形成空气间隙。本发明专利技术将选择管及选择管之间的空隙通过一层保护层保护起来，可以使得选择管之间的介质层不会受到后续刻蚀工艺影响，避免形成空隙从而导致接触孔形成时出现导通的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种改善NANDflash控制栅极间形貌的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善NANDflash控制栅极间形貌的方法。
技术介绍
NANDflash作为一种重要的闪存器件，因为结构具有极高的单元密度，可以达到较高的存储密度，同时其写入和擦除的速度极快，所以被广泛的应用于各类存储卡，并且正在逐步取代机械硬盘的固态硬盘。随着器件尺寸的缩小，NAND器件块区的字线间距的尺寸也在减小，这会使浮栅型存储器出现严重的单元间耦合干扰问题，从而影响单元阈值电压的大小、存储器阵列的编程和读取速度。为了解决这一问题，空气间隙(Airgap)隔离技术的制程工艺被引入到NANDflash的制作中，通过在浮栅极和浮栅极之间引入介电常数最低的物质-空气，来提高器件字线浮栅极之间电容耦合效应。NANDflash中形成空气间隙的形成过程中，通过刻蚀的方法将字线间介质材料去除时，选择管旁边的介质材料也会被刻蚀，在后续为形成空气间隙过程中，通常选择的是填充性能较差的材料，字线形成空气间隙的同时，选择管之间的部分被刻蚀的位置也容易形成空隙，这种空隙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法，其特征在于，至少包括：/n步骤一、提供基底；所述基底上形成有相互间隔的多个字线以及位于所述多个字线一侧相互间隔的选择管栅；/n步骤二、在所述字线之间的底部、字线的侧壁以及所述选择管栅的侧壁形成一层氧化层；/n步骤三、在所述字线之间的间隙以及所述字线与所述选择管栅之间的间隙填充氮化硅；/n步骤四、刻蚀所述氮化硅，在所述选择管栅的侧壁形成侧墙；/n步骤五、形成氧化硅层，在所述氧化硅层上形成一层氮化硅层；之后在所述选择管栅之间填充氧化物，并进行表面平坦化；/n步骤六、回刻使得所述字线的头部以及所述选择管栅的头部露出；/n步骤七、生长保护层覆盖所述...

【技术特征摘要】
1.一种改善NANDflash控制栅极间形貌的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供基底；所述基底上形成有相互间隔的多个字线以及位于所述多个字线一侧相互间隔的选择管栅；
步骤二、在所述字线之间的底部、字线的侧壁以及所述选择管栅的侧壁形成一层氧化层；
步骤三、在所述字线之间的间隙以及所述字线与所述选择管栅之间的间隙填充氮化硅；
步骤四、刻蚀所述氮化硅，在所述选择管栅的侧壁形成侧墙；
步骤五、形成氧化硅层，在所述氧化硅层上形成一层氮化硅层；之后在所述选择管栅之间填充氧化物，并进行表面平坦化；
步骤六、回刻使得所述字线的头部以及所述选择管栅的头部露出；
步骤七、生长保护层覆盖所述选择管栅之间的上表面；
步骤八、去除所述字线间隙中的所述氮化硅；
步骤九、在所述选择管栅上形成金属硅化物；
步骤十、沉积介质层覆盖所述字线和所述选择管栅的顶部、所述选择管栅之间部分的上表面，使得所述字线之间形成空气间隙。


2.根据权利要求1所述的改善NANDflash控制栅极间形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述多个字线的线宽相同；所述多个字线中相邻字线之间的间距彼此相同。


3....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴一姗，巨晓华，王奇伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31