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本发明提供一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法，在基底上形成相互间隔的多个字线及间隔的选择管栅；在字线间的底部、字线侧壁及选择管栅侧壁形成一层氧化层；在字线间的间隙及字线与选择管栅间的间隙填充氮化硅；在选择管栅的侧壁形成侧墙；形...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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