3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件技术

本发明专利技术提供一种3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件，台阶结构设置在堆叠结构的中间且其包括多个相互独立的台阶子结构，结合桥结构，实现了台阶结构的双边驱动，有效降低了驱动控制时的电阻，明显改善了驱动时间延迟问题；在刻蚀形成台阶分区时，同时形成了顶层选择栅的台阶结构，减少了刻蚀工艺步骤；在形成台阶子结构时，先刻蚀形成台阶M×N分区，而后对台阶M×N分区进行刻蚀，一次刻蚀能同时形成M×N个台阶，减少了刻蚀的工艺步骤；在形成台阶子结构时，先修剪刻蚀形成位于台阶分区上半区域的台阶单元，后削减刻蚀，将台阶单元刻蚀复制到台阶分区下半区域，进一步减少了修剪刻蚀的工艺步骤，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件。
技术介绍
3DNAND存储器件是一种堆叠数据单元的技术，目前已可实现32层以上、甚至72层数据单元的堆叠，其克服了平面存储器实际扩展极限的限制，进一步提高了存储容量，降低了每一数据位的存储成本，降低了能耗。但是，在目前的3DNAND存储器件中，随着堆叠层数的增加，对应的台阶结构比较复杂，修剪刻蚀的工艺过程比较繁琐。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种3DNAND存储器件中台阶结构的制造方法，用于解决上述技术问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种3DNAND存储器件的制造方法，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括第一核心区、第二核心区以及位于所述第一核心区与所述第二核心区之间的台阶区；刻蚀所述台阶区，形成多个沿第一方向设置的桥结构和位于相邻所述桥结构之间的台阶分区；...

【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：/n提供衬底，在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括第一核心区、第二核心区以及位于所述第一核心区与所述第二核心区之间的台阶区；/n刻蚀所述台阶区，形成多个沿第一方向设置的桥结构和位于相邻所述桥结构之间的台阶分区；/n刻蚀所述台阶分区，在第二方向形成N个第一台阶子分区，在所述第一方向上形成M个第二台阶子分区，将所述台阶分区划分为至少一个台阶M×N分区，每个所述台阶M×N分区包括M×N个台阶子分区，且所述台阶M×N分区中的M×N个所述台阶子分区的堆叠高度各不相同；/n刻蚀所述台阶M×N分区，形成台阶结构；/n其中，在所述堆叠结构的...

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括第一核心区、第二核心区以及位于所述第一核心区与所述第二核心区之间的台阶区；
刻蚀所述台阶区，形成多个沿第一方向设置的桥结构和位于相邻所述桥结构之间的台阶分区；
刻蚀所述台阶分区，在第二方向形成N个第一台阶子分区，在所述第一方向上形成M个第二台阶子分区，将所述台阶分区划分为至少一个台阶M×N分区，每个所述台阶M×N分区包括M×N个台阶子分区，且所述台阶M×N分区中的M×N个所述台阶子分区的堆叠高度各不相同；
刻蚀所述台阶M×N分区，形成台阶结构；
其中，在所述堆叠结构的堆叠平面内，所述第二方向垂直于所述第一方向，M和N分别为大于等于2的正整数。


2.根据权利要求1所述的3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，所述堆叠结构由多层堆叠设置的复合层组成，所述台阶区包括沿所述第一方向依次排布的第一顶层选择栅区、功能台阶区和第二顶层选择栅区，刻蚀所述台阶区的步骤包括：
在所述堆叠结构上形成阻挡层，刻蚀所述第一顶层选择栅区、所述功能台阶区的部分区域和所述第二顶层选择栅区的所在位置，去除对应区域的所述阻挡层及所述阻挡层下的一层所述复合层，在所述功能台阶区上没有被刻蚀的区域中形成所述桥结构，在所述功能台阶区上的刻蚀区域中形成所述台阶分区。


3.根据权利要求2所述的3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述台阶分区的步骤包括：
刻蚀所述台阶分区，在所述第二方向上形成N个所述第一台阶子分区，N个所述第一台阶子分区的堆叠高度各不相同，且在N个所述第一台阶子分区沿着堆叠高度由高到低顺序排列时相邻两个所述第一台阶子分区的堆叠高度相差M层所述复合层；
继续刻蚀所述台阶分区，在所述第一方向上形成M个所述第二台阶子分区，M个所述第二台阶子分区的堆叠高度各不相同，且在M个所述第二台阶子分区沿着堆叠高度由高到低顺序排列时相邻两个所述第二台阶子分区的堆叠高度相差1层所述复合层；
其中，沿着所述第一方向相邻且堆叠高度各不相同的M个所述第二台阶子分区和沿着所述第二方向相邻且堆叠高度各不相同的N个所述第一台阶子分区构成一个所述台阶M×N分区。


4.根据权利要求3所述的3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，每个堆叠高度的所述第一台阶子分区被其它堆叠高度的所述第一台阶子分区分割成多个相互独立的区块，在所述第二方向上形成多个第一单元区域，每个所述第一单元区域内具有N个依次相邻且堆叠高度各不相同的所述第一台阶子分区；每个堆叠高度的所述第二台阶子分区被其它堆叠高度的所述第二台阶子分区分割成多个相互独立的区块，在所述第一方向上形成多个第二单元区域，每个所述第二单元区域内具有M个依次相邻且堆叠高度各不相同的所述第二台阶子分区；使得所述台阶分区被划分为多个所述台阶M×N分区。


5.根据权利要求3所述的3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述台阶分区的同时，还刻蚀所述第一顶层选择栅区和所述第二顶层选择栅区：
刻蚀所述第一顶层选择栅区靠近所述功能台阶区的区域和所述第二顶层选择栅区靠近所述功能台阶区的区域，去除两层所述复合层；
刻蚀所述第一顶层选择栅区中仅被刻蚀掉一层所述复合层的部分区域和所述第二顶层选择栅区中仅被刻蚀掉一层所述复合层的部分区域，去除一层所述复合层。


6.根据权利要求4所述的3DNAND存储器件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张中，韩玉辉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42