存储器、存储器的制造方法以及操作方法技术

本发明专利技术提供一种存储器、存储器的制造方法以及操作方法，所述存储器包括，形成在半导体衬底上的第一浮栅结构、第二浮栅结构和擦除栅，所述擦除栅位于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构之间；形成在所述半导体衬底上的第一氧化层和第二氧化层。通过在第一浮栅结构和第二浮栅结构之间形成所述擦除栅，在对所述存储器进行擦除操作时，可以在所述擦除栅上施加擦除电压，在第一字线和第二字线上施加零电压，由此，在对存储器进行擦除操作时，可以使电子自所述第一浮栅结构流向所述擦除栅或者自所述第二浮栅结构流向所述擦除栅，从而可以减少第一氧化层和第二氧化层的电场强度，进而提高存储器的耐久性。

【技术实现步骤摘要】
存储器、存储器的制造方法以及操作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器、存储器的制造方法以及操作方法。
技术介绍
电可擦除可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)，是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。请参考图1，其为现有技术的存储器(EEPROM)结构示意图，包括：半导体衬底10，位于半导体衬底上的第一浮栅20a和第二浮栅20b，位于所述第一浮栅20a和所述第二浮栅20b上的介质层30，以及位于所述第一浮栅20a和第二浮栅20b之间的源线40；位于所述第一浮栅20a远离源线的一侧边的第一字线60a，以及位于所述第二浮栅20b远离所述源线40一侧的第二字线60b，所述半导体衬底10与所述第一字线60a和第二字线60b之间形成有氧化层50。存储器在擦除时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：/n半导体衬底；/n形成在所述半导体衬底上的第一浮栅结构、第二浮栅结构和擦除栅，所述擦除栅位于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构之间；/n形成在所述半导体衬底上的第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层位于所述第一浮栅结构远离所述擦除栅的一侧，所述第二氧化层位于所述第二浮栅结构远离所述擦除栅的一侧；/n形成在所述第一浮栅结构一侧且覆盖所述第一氧化层的第一字线，以及形成在所述第二浮栅结构一侧且覆盖所述第二氧化层的第二字线。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：
半导体衬底；
形成在所述半导体衬底上的第一浮栅结构、第二浮栅结构和擦除栅，所述擦除栅位于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构之间；
形成在所述半导体衬底上的第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层位于所述第一浮栅结构远离所述擦除栅的一侧，所述第二氧化层位于所述第二浮栅结构远离所述擦除栅的一侧；
形成在所述第一浮栅结构一侧且覆盖所述第一氧化层的第一字线，以及形成在所述第二浮栅结构一侧且覆盖所述第二氧化层的第二字线。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
第一侧墙层，位于所述第一浮栅结构上；
第二侧墙层，位于所述第二浮栅结构上；
第三侧墙层，覆盖所述第一浮栅结构和所述第一侧墙层远离所述擦除栅的一侧壁；
第四侧墙层，覆盖所述第二浮栅结构和所述第二侧墙层远离所述擦除栅的一侧壁；
第五侧墙层，覆盖所述第一字线远离所述第一浮栅结构的一侧壁；
第六侧墙层，覆盖所述第二字线远离所述第二浮栅结构的一侧壁；
源线，位于对准所述擦除栅的所述半导体衬底中；
隧穿氧化层，覆盖所述源线、所述第一浮栅结构及所述第二浮栅结构靠近所述擦除栅的一侧壁，并延伸覆盖所述第一侧墙层和所述第二侧墙层的一侧壁；
第一位线，位于所述五侧墙层远离所述第一字线一侧的所述半导体衬底中；
第二位线，位于所述第六墙层远离所述第二字线一侧的所述半导体衬底中。


3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一浮栅结构包括依次层叠的第一浮栅氧化层和第一浮栅层，所述第二浮栅结构包括依次层叠的第一浮栅氧化层和第二浮栅层。


4.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一浮栅结构、第二浮栅结构和擦除栅，所述擦除栅位于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构之间；
在所述半导体衬底上形成第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层位于所述第一浮栅结构远离所述擦除栅的一侧，所述第二氧化层位于所述第二浮栅结构远离所述擦除栅的一侧；
形成第一字线和第二字线，所述第一字线位于所述第一浮栅结构一侧且覆盖所述第一氧化层，所述第二字线位于所述第二浮栅结构一侧且覆盖所述第二氧化层。


5.如权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一浮栅结构、所述第二浮栅结构和所述擦除栅的形成方法包括：
在所述半导体衬底上形成浮栅结构层；
在所述浮栅结构层上形成介质层，所述介质层中具有在厚度方向上贯通的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述浮栅结构层；
形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层和所述第二侧墙层均位于暴露出的所述浮栅结构层的上方，并分别覆盖所述第一开口的两侧壁；
以所述第一侧墙层和所述第二侧墙层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浮栅结构层，以形成暴露出所述半导体衬底的第二开口；
对暴露出的所述半导体衬底执行离子注入工艺，以形成源线；
形成隧穿氧化层，所述隧穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31