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本发明提供一种存储器、存储器的制造方法以及操作方法，所述存储器包括，形成在半导体衬底上的第一浮栅结构、第二浮栅结构和擦除栅，所述擦除栅位于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构之间；形成在所述半导体衬底上的第一氧化层和第二氧化层。通过在第一浮栅...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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