【技术实现步骤摘要】
用于裸片对裸片进行键合的方法和结构本申请是申请日为2019年10月12日，题为“用于裸片对裸片进行键合的方法和结构”，申请号为201980002468.5的专利申请的分案申请。
本公开内容的实施例涉及在裸片对裸片键合方案中所使用的方法和结构。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储器单元缩放到较小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储器单元的存储器密度接近上限。3D存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制进出存储器阵列的信号的外围器件。3D半导体器件可以通过堆叠半导体晶圆或裸片并使用例如通过硅孔(TSV)或铜对铜(Cu-Cu)连接将它们垂直互连来形成，从而与传统平面工艺相比，得到的结构可以用作单个器件而以降低的功率和较小的占用面积实现性能改进。在用于堆叠半导体晶圆或裸片的各种技术中，键合被认为是有前途的技术之一。
技术实现思路
本文公开了用于裸片对裸片...
【技术保护点】
1.一种用于键合的方法，包括：/n对一个或多个器件晶圆进行分割以获得多个裸片；/n将所述多个裸片中的至少一个第一裸片放置到第一载体晶圆上，并且将所述多个裸片中的至少一个第二裸片放置到第二载体晶圆上；/n将所述至少一个第一裸片各自与相应的第二裸片键合；以及/n分别去除所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆以形成各自包括所述第一裸片中的一个第一裸片和所述相应的第二裸片的多个键合半导体器件。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于键合的方法，包括：
对一个或多个器件晶圆进行分割以获得多个裸片；
将所述多个裸片中的至少一个第一裸片放置到第一载体晶圆上，并且将所述多个裸片中的至少一个第二裸片放置到第二载体晶圆上；
将所述至少一个第一裸片各自与相应的第二裸片键合；以及
分别去除所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆以形成各自包括所述第一裸片中的一个第一裸片和所述相应的第二裸片的多个键合半导体器件。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述进行分割之前在所述一个或多个器件晶圆上方形成相应的保护层；以及
利用所述相应的保护层对所述一个或多个器件晶圆进行分割，以形成各自在相应的保护层部分下方的所述多个裸片。
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆各自在与相应裸片接触的表面上包括相应的粘合层；以及
将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片放置到相应的载体晶圆上包括：将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片附着到所述相应的粘合层，所述相应的保护层的部分背对所述粘合层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
形成所述粘合层包括在与所述相应裸片接触的所述表面上形成多个粘合部分，所述多个粘合部分彼此接触；以及
将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片放置到所述相应的载体晶圆上包括：将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片附着到所述相应的粘合层的相应粘合部分。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆中形成多个相应的开口，其中
形成所述粘合层包括在所述开口中的每个开口的底部形成粘合部分；以及
将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片附着到所述相应的粘合层包括：将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片各自放置到所述相应的载体晶圆的相应开口中。
6.根据权利要求4或5所述的方法，还包括从所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片中的每一者中去除所述相应的保护层部分。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括在去除所述相应的保护层部分之后，在所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片中的每一者上执行相应的表面处理。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述键合之前，
将所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆中的一者进行翻转；以及
将所述至少一个第一裸片中的每一者与所述相应的第二裸片对准。
9.根据权利要求1中任一项所述的方法，其中，所述键合包括混合键合。
10.根据权利要求1中任一项所述的方法，其中，放置所述至少一个第一裸片包括将所述至少一个第一裸片均匀分布地放置到所述第一载体晶圆上。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括将所述至少一个第一裸片完全覆盖地放置到所述第一载体晶圆上方。
12.一种用于键合的方法，包括：
对一个或多个器件晶圆进行分割以获得多个裸片；
将所述多个裸片中的至少一个第一裸片放置到第一载...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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