制造半导体器件的方法技术

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用出于所有目的，本申请要求于2019年9月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0114042的优先权，通过引用将该申请的全部公开内容合并于此。
本专利技术构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。
技术介绍
为了满足对高性能的需求，半导体器件以高速且多功能地运行，并且半导体器件的集成度增加。半导体器件的这种高度集成趋势可以包括具有精细图案或通过精细间隔距离彼此间隔开的诸如栅电极或布线的构成元件。另外，为了避免由于在高度集成趋势下由于平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸减小而导致的操作特性的限制，已经努力开发包括具有三维结构的沟道的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术构思的一方面在于提供一种具有提高的可靠性和生产率的制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的有源区；在所述衬底上形成沿第二方向延伸以与所述有源区相交的牺牲栅极结构；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成沿第一方向延伸的有源区；/n在所述衬底上形成沿第二方向延伸以与所述有源区相交的牺牲栅极结构；/n在每个所述牺牲栅极结构的相对侧在所述有源区上形成源极/漏极区；/n形成覆盖所述源极/漏极区和所述牺牲栅极结构的第一层间绝缘层；/n去除所述牺牲栅极结构并在已经去除所述牺牲栅极结构的地方形成栅极结构；/n去除所述栅极结构的上部并在已经去除所述栅极结构的所述上部的地方形成栅极覆层；/n形成穿过所述第一层间绝缘层以连接到相应的所述源极/漏极区的初步接触插塞；/n形成暴露所述初步接触插塞的第一部分并覆盖所述初步接触插塞的第二部分和每个所述栅极覆层的...

【技术特征摘要】
20190917 KR 10-2019-01140421.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成沿第一方向延伸的有源区；
在所述衬底上形成沿第二方向延伸以与所述有源区相交的牺牲栅极结构；
在每个所述牺牲栅极结构的相对侧在所述有源区上形成源极/漏极区；
形成覆盖所述源极/漏极区和所述牺牲栅极结构的第一层间绝缘层；
去除所述牺牲栅极结构并在已经去除所述牺牲栅极结构的地方形成栅极结构；
去除所述栅极结构的上部并在已经去除所述栅极结构的所述上部的地方形成栅极覆层；
形成穿过所述第一层间绝缘层以连接到相应的所述源极/漏极区的初步接触插塞；
形成暴露所述初步接触插塞的第一部分并覆盖所述初步接触插塞的第二部分和每个所述栅极覆层的上表面的至少一部分的掩模图案层；
使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分凹陷以形成凹陷区域，来形成接触插塞，其中，所述接触插塞包括第一部分和从所述第一部分向上延伸的第二部分；以及
形成填充所述凹陷区域的接触绝缘层。


2.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述掩模图案层包括：
第一图案层，所述第一图案层设置在所述栅极覆层上，沿所述第二方向延伸并在所述第一方向上彼此间隔开；以及
第二图案层，所述第二图案层设置在所述初步接触插塞的所述第二部分上，沿所述第一方向延伸以连接所述第一图案层并在所述第二方向上彼此间隔开。


3.根据权利要求2所述的方法，
其中，每个所述第一图案层部分地暴露相应的所述栅极覆层的至少一个边缘，并且
其中，所述相应的所述栅极覆层的所述至少一个边缘沿所述第二方向延伸。


4.根据权利要求3所述的方法，
其中，在形成所述凹陷区域时，所述相应的所述栅极覆层的所述至少一个边缘被部分地去除。


5.根据权利要求2所述的方法，
其中，所述第二图案层在所述第二方向上的最小宽度在大约10nm至大约40nm的范围内。


6.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述接触插塞的所述第二部分在所述第二方向上的长度小于所述凹陷区域在所述第二方向上的长度。


7.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述接触插塞的所述第二部分从所述接触插塞的所述第一部分的一端向上延伸。


8.根据权利要求7所述的方法，
其中，所述接触插塞的所述第二部分具有形成所述凹陷区域的侧壁的第一侧表面和与所述第一侧表面相对的、形成所述接触插塞的外侧表面的第二侧表面，并且
其中，所述第一侧表面和所述第二侧表面相对于所述接触插塞的所述第一部分的上表面分别具有第一负斜率和第二负斜率。


9.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述接触插塞的所述第二部分从所述接触插塞的所述第一部分的一部分向上延伸，并且
其中，所述接触插塞的所述第一部分的所述一部分设置在所述接触插塞的所述第一部分在所述第二方向上的相对端之间。


10.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述接触插塞的所述第二部分具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，并且
其中，所述第一侧表面和所述第二侧表面相对于所述接触插塞的所述第一部分的上表面具有符号相反的斜率。


11.根据权利要求1所述的方法，

【专利技术属性】
技术研发人员：李城门，郭玟灿，申宪宗，郑涌植，卢永昌，李斗铉，郑圣宪，池祥源，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR