存储器件制造技术

一种存储器件包括：第一半导体芯片，包括设置在第一基板上的存储单元阵列以及在第一半导体芯片的第一最上金属层上的第一接合金属；以及第二半导体芯片，包括设置在第二基板上的电路器件以及在第二半导体芯片的第二最上金属层上的第二接合金属，电路器件提供对存储单元阵列进行操作的外围电路。第一半导体芯片和第二半导体芯片在接合区域中通过第一接合金属和第二接合金属彼此电连接。与外围电路电连接的布线被设置在第一最上金属层和第二最上金属层中的一个或二者中，并且被设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此不电连接的非接合区域中。

【技术实现步骤摘要】
存储器件相关申请的交叉引用本申请要求于2019年9月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0108359的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及存储器件。
技术介绍
存储器件可以提供记录和擦除数据或读取记录数据的功能。存储器件可以被分类为非易失性存储器件或易失性存储器件。在非易失性存储器件中，即使当切断其电力也可以保持记录的数据。存储器件所需的数据存储容量在不断增加，并且已经提出了用于改善存储器件的集成的各种方法。
技术实现思路
一个方面提供了一种通过减小芯片尺寸而具有改善的集成度的存储器件。根据一个或多个实施例的方面，提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一半导体芯片，包括设置在第一基板上的存储单元阵列，以及在所述第一半导体芯片的第一最上金属层上的第一接合金属；以及第二半导体芯片，包括设置在第二基板上的电路器件，以及在第二半导体芯片的第二最上金属层上的第二接合金属，电路器件提供对存储单元阵列进行操作的外围电路，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片在接合区域中通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：/n第一半导体芯片，包括设置在第一基板上的存储单元阵列以及在所述第一半导体芯片的第一最上金属层上的第一接合金属；以及/n第二半导体芯片，包括设置在第二基板上的电路器件以及在所述第二半导体芯片的第二最上金属层上的第二接合金属，所述电路器件提供对所述存储单元阵列进行操作的外围电路，/n其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在接合区域中通过所述第一接合金属和所述第二接合金属彼此电连接，以及/n与所述外围电路电连接的布线被设置在所述第一最上金属层或所述第二最上金属层中的至少一个中，并被设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此不电连接的非接合区域中。/n

【技术特征摘要】
20190902 KR 10-2019-01083591.一种存储器件，包括：
第一半导体芯片，包括设置在第一基板上的存储单元阵列以及在所述第一半导体芯片的第一最上金属层上的第一接合金属；以及
第二半导体芯片，包括设置在第二基板上的电路器件以及在所述第二半导体芯片的第二最上金属层上的第二接合金属，所述电路器件提供对所述存储单元阵列进行操作的外围电路，
其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在接合区域中通过所述第一接合金属和所述第二接合金属彼此电连接，以及
与所述外围电路电连接的布线被设置在所述第一最上金属层或所述第二最上金属层中的至少一个中，并被设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此不电连接的非接合区域中。


2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二半导体芯片包括设置在所述第二基板上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且
所述布线被设置在所述非接合区域中的第二最上金属层上并与所述第二金属层电连接。


3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一半导体芯片包括设置在所述第一基板上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且
所述布线被设置在所述第一最上金属层中，并在所述非接合区域中与所述第二金属层电连接。


4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述布线包括设置在所述第一最上金属层上的第一布线和设置在所述第二最上金属层上的第二布线，
所述第一布线包括第一触点和第一金属图案，
所述第二布线包括第二触点和第二金属图案，以及
所述第一金属图案和所述第二金属图案彼此不电连接。


5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第二半导体芯片包括设置在所述第二基板上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且
所述第二金属图案被设置在所述第二最上金属层上，并在所述非接合区域中通过所述第二触点与所述第二金属层电连接。


6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一半导体芯片包括设置在所述第一基板上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且
所述第一金属图案被设置在所述第一最上金属层上，并在所述非接合区域中通过所述第一触点与所述第二金属层电连接。


7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，在与设置在所述第一最上金属层上的所述第一金属图案的位置相对应的位置中，具有与所述第一金属图案的形状相同的形状的第三金属图案被设置在所述第二最上金属层上。


8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一金属图案和所述第三金属图案彼此电连接。


9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述第三金属图案设置有第三触点，所述第三触点被设置在所述第三金属图案上。


10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一最上金属层或所述第二最上金属层中的至少一个包括所述非接合区域中的虚设图案。


11.一种存储器件，包括：
存储单元区域，包括：堆叠在第一基板上的字线，设置在所述字线上的位线，穿过所述字线并与所述位线连接的沟道结构，以及公共源极线；
外围电路区域，设置在第二基板上，并包括对包括在所述存储单元区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珠用，金灿镐，边大锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR