半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置的形成方法，其包括图案化介电层以形成沟槽，并沉积多个导电层于介电层上与沟槽中。第一导电层为衬垫层，第二导电层为金属膜，且第三导电层为盖层。以氢等离子体处理处理第一导电层以移除杂质。亦以氢浸入处理处理第一导电层以移除微孔。以氨等离子体处理处理第三导电层以移除杂质。亦以氢等离子体处理处理第三导电层以移除额外杂质。亦以氢浸入处理处理第三导电层以移除微孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置的形成方法，更特别关于多层导电结构的处理方法。
技术介绍
半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用光刻图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于基板上。半导体产业持续缩小最小结构尺寸以改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，以将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，产生需解决的额外问题。
技术实现思路
在一实施例中，半导体装置的形成方法包括：沉积绝缘层；图案化绝缘层以形成沟槽；沉积阻障层于沟槽中；沉积衬垫层于阻障层上；进行第一氢等离子体处理于衬垫层上；进行第一氢浸入处理于衬垫层上；以及沉积第一金属膜于衬垫层上。此外，沉积衬垫层的步骤造成衬垫层中的第一杂质，其包括碳与氧。第一氢等离子体处理可自衬垫层移除一些第一杂质。在另一实施例中，半导体装置的形成方法包括：形成第一金属化层以及形成外部连接物于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n沉积一绝缘层；/n图案化该绝缘层以形成一沟槽；/n沉积一阻障层于该沟槽中；/n沉积一衬垫层于该阻障层上，造成该衬垫层中的多个第一杂质，且该些第一杂质包括碳与氧；/n进行一第一氢等离子体处理于该衬垫层上，且该第一氢等离子体处理自该衬垫层移除一些该些第一杂质；/n进行一第一氢浸入处理于该衬垫层上；以及/n沉积一第一金属膜于该衬垫层上。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,2341.一种半导体装置的形成方法，包括：
沉积一绝缘层；
图案化该绝缘层以形成一沟槽；
沉积一阻障层于该沟槽中；
沉积一衬垫层于该阻障层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佩璇，纪志坚，刘育瑛，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71