温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及半导体装置的形成方法，其包括图案化介电层以形成沟槽，并沉积多个导电层于介电层上与沟槽中。第一导电层为衬垫层，第二导电层为金属膜，且第三导电层为盖层。以氢等离子体处理处理第一导电层以移除杂质。亦以氢浸入处理处理第一导电层以移除微孔。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。