半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法，该方法包含形成第一导电部件于基板上。形成接触第一导电部件的导孔。导孔包含导电材料。对导孔的顶表面执行化学机械研磨(CMP)工艺。沉积层间介电(ILD)层于导孔上。形成沟槽于层间介电层中，以暴露导孔。以接触导孔的第二导电部件填充沟槽。第二导电部件包含与导电材料相同的材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，特别涉及具有介于导孔与导线之间的改良的接触电阻的半导体装置及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数级增长。IC材料及设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都比上一代具有更小，且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(functionaldensity)(亦即，每个芯片区域的互连装置的数量)通常已经增加，同时几何尺寸(亦即，可以使用制造工艺产生的最小部件(或线))已经缩小了。这种按照比例缩小的工艺通常通过提高产品良率并降低相关成本来提供益处。这种按照比例的缩小也增加了IC结构(诸如，三维晶体管)与工艺的复杂性，而且为了实现这些进步，需要在IC工艺及制造中进行类似的发展。举例而言，当装置尺寸持续减小时，装置性能(诸如与各种缺陷相关的装置性能劣化)及场效晶体管的制造成本变得更具挑战性。尽管解决这种挑战的方法通常是足够的，但它们并不是在所有方面都完全令人满意。
技术实现思路
一实施例涉及一种方法。所述方法包含：形成第一导电部件于基板上。形成与第一导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，其包括：/n形成一第一导电部件于一基板上；/n形成一导孔，该导孔接触该第一导电部件，且该导孔包含一导电材料；/n对该导孔的一顶表面执行化学机械研磨工艺；/n沉积一层间介电层于该导孔上；/n形成一沟槽于该层间介电层中，以暴露该导孔；以及/n以接触该导孔的一第二导电部件填充该沟槽，该第二导电部件包含与该导电材料相同的材料。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,7191.一种半导体装置的形成方法，其包括：
形成一第一导电部件于一基板上；
形成一导孔，该导孔接触该第一导电部件，且该导孔包含一导电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌俊元，邱士权，游家权，张家豪，林天禄，林佑明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71