半导体封装件制造技术

提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁。重新分布层的侧壁相对于重新分布层的底表面倾斜，并且模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。并且模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。并且模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]本专利申请要求于2019年8月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0102600号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。


[0002]专利技术构思的实施例涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种具有改善的可靠性的半导体封装件。

技术介绍

[0003]集成电路芯片可以以半导体封装件的形式实现，以便适当地应用于电子产品。随着半导体芯片(或集成电路芯片)的集成密度的增加，会难以形成期望数量的互连线。为了克服这些限制，已经开发了晶圆级封装和面板级封装。为了半导体封装件的内部组件之间和/或半导体封装件之间的优异电连接，可能需要改善半导体封装件的可靠性。

技术实现思路

[0004]专利技术构思的实施例可以提供一种具有改善的可靠性的半导体封装件。
[0005]在一方面，一种半导体封装件可以包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁。重新分布层的侧壁可以相对于重新分布层的底表面倾斜，并且模制层的侧壁可以与重新分布层的侧壁分隔开。
[0006]在一方面，一种半导体封装件可以包括重新分布层、半导体芯片和模制层，半导体芯片位于重新分布层上，模制层覆盖半导体芯片的顶表面并围绕半导体芯片的多个侧壁。模制层的边缘部分可以覆盖重新分布层的多个侧壁。重新分布层的多个侧壁中的每个侧壁可以与重新分布层的底表面形成倾斜锐角。
[0007]在一方面，一种半导体封装件可以包括重新分布层、半导体芯片、多个焊料凸块、模制层和多个外部端子，半导体芯片位于重新分布层上，多个焊料凸块位于半导体芯片与重新分布层之间，模制层覆盖半导体芯片的多个侧壁和重新分布层的顶表面并围绕重新分布层的多个侧壁，多个外部端子位于重新分布层的底表面上。重新分布层的多个侧壁可以包括第一侧壁至第四侧壁。第一侧壁至第四侧壁可以与模制层的多个侧壁分隔开。重新分布层的底表面与第一侧壁至第四侧壁中的每个侧壁之间的角度可以是锐角。半导体芯片可以通过重新分布层电连接到多个外部端子。模制层的边缘部分的底表面可以与重新分布层的底表面共面。
附图说明
[0008]考虑到附图及附随的详细描述，专利技术构思将变得更清楚。
[0009]图1是示出根据专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的平面图。
[0010]图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
[0011]图3是示出根据专利技术构思的一些实施例的用于制造半导体封装件的方法的平面图。
[0012]图4至图15是示出根据专利技术构思的一些实施例的用于制造半导体封装件的方法的剖视图。
具体实施方式
[0013]在整个说明书中，相同的附图标号或相同的附图标记可以表示相同的元件或组件。在下文中，将详细地描述根据专利技术构思的一些实施例的半导体封装件。
[0014]图1是示出根据专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的平面图。图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
[0015]参照图1和图2，半导体封装件1可以包括重新分布层RDL、焊料凸块50、半导体芯片60、模制层70和外部端子80。
[0016]重新分布层RDL可以设置在半导体芯片60的底表面(或下表面)60b与外部端子80之间。重新分布层RDL可以包括第一互连层20、第二互连层30和芯片连接部40。尽管未在附图中示出，但是重新分布层RDL还可以包括多个互连层。
[0017]第一互连层20可以设置在外部端子80的顶表面(或上表面)上。第一互连层20可以包括第一导电图案22和第一绝缘层23。第一导电图案22可以设置在外部端子80的顶表面上。第一导电图案22可以包括导电材料。例如，第一导电图案22可以包括铜(Cu)、铜合金、钛(Ti)和/或铝(Al)。第一导电图案22可以电连接到外部端子80。在本说明书中，可以理解的是，当组件电连接到另一组件时，它可以直接或间接连接到另一组件。第一绝缘层23可以设置在第一导电图案22上。更详细地，第一绝缘层23可以覆盖第一导电图案22的顶表面(或上表面)和侧壁(或侧表面)。第一绝缘层23可以具有第一通孔24。第一通孔24可以设置在第一导电图案22的顶表面上。第一通孔24可以暴露第一导电图案22的顶表面的至少一部分。第一绝缘层23可以包括可固化材料。可固化材料可以包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)和/或聚酰胺类聚合物材料。例如，可固化材料可以包括光敏聚酰亚胺(PSPI)、聚苯并噁唑(PBO)、酚聚合物、苯并环丁烯(BCB)聚合物和环氧聚合物中的至少一种。
[0018]第二互连层30可以设置在第一绝缘层23上。第二互连层30可以包括第二种子层31、第二导电图案32和第二绝缘层33。第二导电图案32可以包括过孔部分32a和垫(pad，或称为焊盘)部分32b。第二种子层31可以设置在第二导电图案32与第一绝缘层23之间。更详细地，第二种子层31可以共形地覆盖第一通孔24的底表面(或下表面)和内侧壁(或内侧表面)以及第二导电图案32的垫部分32b的底表面(或下表面)的一部分。第二种子层31可以包括导电材料。例如，第二种子层31可以包括钛(Ti)、铜(Cu)和/或氮化钛(TiN)。第二导电图案32可以设置在第二种子层31上。第二导电图案32可以具有T形剖面或大致T形剖面。第二导电图案32可以通过第二种子层31电连接到第一导电图案22。更详细地，第二导电图案32的过孔部分32a可以穿透第一绝缘层23的一部分，以连接到第二种子层31。第二绝缘层33可以设置在第二导电图案32上。更详细地，第二绝缘层33可以覆盖第二导电图案32的顶表面(或上表面)和侧壁(或侧表面)。第二绝缘层33可以具有第二通孔34。第二通孔34可以暴露第二导电图案32的顶表面的至少一部分。第二绝缘层33可以包括与第一绝缘层23相同的材料。第二绝缘层33可以包括可固化材料。可固化材料可以包括无机材料(例如，氧化硅、氮化
硅和/或氮氧化硅)和/或聚酰胺类聚合物材料。例如，可固化材料可以包括光敏聚酰亚胺(PSPI)、聚苯并噁唑(PBO)、酚聚合物、苯并环丁烯(BCB)聚合物和环氧聚合物中的至少一种。
[0019]芯片连接部40可以设置在第二绝缘层33上。芯片连接部40可以包括第三种子层41和第三导电图案42。第三导电图案42可以包括过孔部分42a和垫部分42b。第三种子层41可以设置在第三导电图案42与第二绝缘层33之间。更详细地，第三种子层41可以共形地覆盖第二通孔34的底表面(或下表面)和内侧壁(或内侧表面)以及第三导电图案42的垫部分42b的底表面(或下表面)的一部分。第三种子层41可以包括与第二种子层31相同的材料。例如，第三种子层41可以包括钛(Ti)、铜(Cu)和/或氮化钛(TiN)。第三导电图案42可以设置在第三种子层41上。第三导电图案42可以具有T形剖面或大致T形剖面。第三导电图案42可以通过第三种子层41电连接到第二导电图案32。更详细地，第三导电图案42的过孔部分4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：重新分布层；半导体芯片，位于重新分布层上；以及模制层，覆盖半导体芯片的侧壁以及重新分布层的顶表面和侧壁，其中，重新分布层的侧壁相对于重新分布层的底表面倾斜，并且其中，模制层的侧壁与重新分布层的侧壁分隔开。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，模制层的侧壁与重新分布层的侧壁之间的距离在向上的竖直方向上增大。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层的侧壁与重新分布层的底表面之间的角度为锐角。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，重新分布层的侧壁与重新分布层的底表面之间的角度等于或大于45度且小于90度。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，模制层的边缘部分的底表面与重新分布层的底表面共面。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层的侧壁的表面粗糙度比模制层的侧壁的表面粗糙度小。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层包括多个侧壁，并且其中，模制层围绕重新分布层的所述多个侧壁。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，模制层包括多个侧壁，并且其中，重新分布层的所述多个侧壁与模制层的所述多个侧壁分隔开。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，模制层的所述多个侧壁中的每个侧壁面对重新分布层的所述多个侧壁中的对应的一个侧壁，并且其中，模制层的所述多个侧壁中的每个侧壁与重新分布层的所述多个侧壁中的对应的一个侧壁之间的距离在向上的竖直方向上增大。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，重新分布层包括：第一互连层；第二互连层，位于第一互连层上；以及芯片连接部，位于第二互连层与半导体芯片之间，其中，重新分布层的底表面包括第一互连层的底表面，并且其中，第一互连层的多个侧壁与第二互连层的多个侧壁共面。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，芯片连接部包括多个芯片连接部，并且其中，模制层覆盖半导体芯片的底表面和所述多个芯片连接部的多个侧壁。12.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：重新分布层；半导体芯片，位于重新分布层上；以及模制层，覆盖半导体芯片的顶表面并围...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟润，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：