用于光刻套刻的划片槽结构制造技术

本发明专利技术有关一种用于光刻套刻的划片槽结构，形成于一个曝光点的四周，光刻套刻的图形标记呈风车形状设置于曝光点四周，所述风车形状是指光刻套刻图形顺次设置于曝光点四个边周围的５０ｕｍ的空间内。由于分散设置，划片槽内的光刻图形宽度较小。本发明专利技术使用于半导体器件的制作过程中，特别是在划片槽上设置光刻套刻图形的制作过程中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体器件后道封装的用于光刻套刻的划片槽结构，尤其是有关一种可以将图形缩小到50um内的芯片后道封装的用于光刻套刻的划片槽结构。
技术介绍
在芯片制造过程中，需要通过光刻套刻来进行芯片的定位，因此需要在芯片的四周设置划片槽，同时在划片槽内放置各种工艺上或产品上要用到的标记，如光刻对准标记，膜厚测定PAD等图形。如图1所示，现有的在量产上使用的各种产品的划片槽宽度都是120um的，根据现有的设计规则，在划片槽内放置的各种工艺上或产品上要用到的MARK如光刻对准标记，膜厚测定PAD等图形的宽度都被限制在100um的范围内，这种构造的划片槽是需要通过相邻两个SHOT的曝光来形成的。这种构造，如果对划片槽放置图形的面积有对于50um来说的不同的要求时，现有的构造是不能满足要求的。因此，要专利技术一种新的能够将各种图形标记均限制在50um的用于光刻套刻的划片槽结构。
技术实现思路
为改变已有技术中的缺陷，本专利技术的目的是一种新的能够将各种图形标记均限制在50um的用于光刻套刻的划片槽结构。为了实现本专利技术的专利技术目的，本专利技术的一种用于光刻套刻的划片槽结构，形成于一个曝光点的四周，光刻套刻的图形标记呈风车形状设置于曝光点四周。由于采用上述技术方案本专利技术的用于光刻套刻的划片槽结构因为图形标记分散设置，可以将图形限制在50um的范围内。附图说明图1是现有技术用于光刻套刻的划片槽结构的示意图。图2是本专利技术用于光刻套刻的划片槽结构的示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述。请参阅图2所示，每一个曝光点的四周形成划片槽，设置图形标记的区域以曝光点的中心位置为中心呈风车状分布。每个划片槽区域的宽度为50um，长度约为曝光点区域长度的一半。四个划片槽区域设置于曝光点的右侧。所有的光刻套刻的图形标记均设置于上述四个划片槽区域内。综上所述，由于划片槽区域分散成四个区域，光刻的图形标记分散设置于四个区域内，所以各种图形标记均可以设置于均可以放置在中心区域50um范围内。权利要求1.一种用于光刻套刻的划片槽结构，形成于一个曝光点的四周，其特征在于光刻套刻的图形标记呈风车形状设置于曝光点四周。2.如权利要求1所述的用于光刻套刻的划片槽结构，其特征在于所述风车形状是指光刻套刻图形顺次设置于曝光点的四个边周围靠左的一侧。3.如权利要求1所述的用于光刻套刻的划片槽结构，其特征在于所述风车形状是指光刻套刻图形顺次设置于曝光点的四个边周围靠右的一侧。4.如权利要求2或3所述的用于光刻套刻的划片槽结构，其特征在于所述风车形状是指光刻套刻图形顺次设置于曝光点四个边周围的50um的空间内。全文摘要本专利技术有关一种用于光刻套刻的划片槽结构，形成于一个曝光点的四周，光刻套刻的图形标记呈风车形状设置于曝光点四周，所述风车形状是指光刻套刻图形顺次设置于曝光点四个边周围的50um的空间内。由于分散设置，划片槽内的光刻图形宽度较小。本专利技术使用于半导体器件的制作过程中，特别是在划片槽上设置光刻套刻图形的制作过程中。文档编号G03F7/20GK1690859SQ200410017898公开日2005年11月2日 申请日期2004年4月23日 优先权日2004年4月23日专利技术者田明, 邵春, 倪淋云 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻套刻的划片槽结构，形成于一个曝光点的四周，其特征在于：光刻套刻的图形标记呈风车形状设置于曝光点四周。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田明，邵春，倪淋云，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]