【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用作纳米压印模的掺杂二氧化钛石英玻璃，该玻璃具 有低热膨胀系数。
技术介绍
众所周知，半导体技术在向集成电路更高集成化方面已作出了显 著的进步。这一倾向促进了在半导体器件制造的光刻法方法中使用更短波长的光源。使用ArF准分子激光(193nm)的光刻法是现代的主流。 期待向使用极紫外光(EUV)的光刻法的转换能进一步集成化。作为用 于制造半间距(half-pitch)为32nm或更低的半导体器件的寺支术，不仅 光刻法，而且纳米压印光刻法也被认为是有前途的。期待纳米压印光刻法找到包括光波导、生物-芯片和光贮存介质的各种应用。纳米压印光刻法包括通过电子束光刻法和蚀刻技术置备其上具有 预定的细微图形的模具(也可称作压模或模板)，在基体上涂布树脂 材料，并把模具压到树脂膜上以将细微图形构型转移至树脂膜。具体 地，制造半导体器件是借助把模具压到涂布在半导体晶片表面上的例 如硅的抗蚀膜上、以转移细微图形。通常纳米压印光刻法分成光纳米压印光刻法和热纳米压印光刻 法。光纳米压印光刻法使用可光固化的树脂作树脂材料。当使模具压 到树脂上时，用紫外光(UV)辐射照射使树脂...
【技术保护点】
一种用作纳米压印模具的掺杂二氧化钛的石英玻璃，其在０℃和２５０℃之间具有－３００～３００ｐｐｂ／℃范围内的线性热膨胀系数（ＣＴＥ）和２５℃下最高为１００ｐｐｂ／℃的ＣＴＥ分布。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：每田繁，大塚久利，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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