【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于 一 种光通信
光放大器件的制 作方法，特别涉及 一 种紫外光直写制作掺铒杂化S i 0 2 光波导放大器的方法。
技术介绍
掺铒光波导放大器(EDWA)，由于其内部铒离子Er 3+能级4113/2—4115/2受激跃迁，可以对通信波长1 . 5 5 u m范围的光信号进行放大，并且具有紧凑的光波导结 构，尺寸小，可集成化，易于实现光电混合集成，因 此得到了广泛的关注及研究，并应用于光通信领域， 具有良好的发展前景。目前掺铒光波导放大器的制作是首先在S i基片上 生长Si02下包层，然后再用火焰水解法(FHD)、等离子 体增强化学气相沉积法(PECVD)，溶胶-凝胶(sol-gel )等方法生长波导芯层并掺杂铒，常用的芯层材料是Si、Si02、A 1 2 0 3等III和IV族物质，其中Si02具有本征损耗低、价格低廉、与下包层完美匹配，且与石英玻璃通信光纤的兼容性好等优点，成为普遍应用的掺铒基质材料。为了使光波模式在波导中很好的限制传播，心层si02与上、下包层应具有高折射率差，而且咼折射率差能够实现小的弯曲波导半径，使波导器件幺±构更加紧...
【技术保护点】
一种紫外光直写制作掺铒杂化ＳｉＯ↓［２］光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤１：先用热氧化法在单晶Ｓｉ衬底上生长下包层； 步骤２：利用有机／无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性ＳｉＯ↓［２］材料； 步骤３：在下包层上旋涂光敏性杂化ＳｉＯ↓［２］薄膜作为芯层； 步骤４：前烘，固化； 步骤５：然后利用紫外光通过掩模版进行曝光，将器件图形直接复制到芯层上； 步骤６：显影、后烘，获得条形掺铒波导放大器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王玥，吴远大，李建光，王红杰，安俊明，胡雄伟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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