使用空间光调制器阵列的无掩模光刻系统和方法技术方案

一种用于在目标物上写入图案的无掩模光刻系统。该系统可包括照明系统，目标物，空间光调制器（ＳＬＭ），和控制器。在目标物接收光之前，ＳＬＭ可使来自照明系统的光形成图案。ＳＬＭ可包括前组ＳＬＭ和后组ＳＬＭ。前和后组中的ＳＬＭ根据目标物的扫描方向而改变。控制器可根据光脉冲期间信息，有关ＳＬＭ物理布局信息，和目标物扫描速度其中至少之一，来发送控制信号。通过使用多种方法，该系统还可校正剂量的非均匀性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及光刻。具体而言，本专利技术涉及无掩模光刻。
技术介绍
光刻是用于在基片表面产生特征的处理。这样的基片可包括用于 制造平面显示器(例如，液晶显示器)，电路板，多种集成电路等的 基片。对于这些应用，经常使用的基片为半导体晶片或玻璃基片。尽 管此处的描述是就半导体晶片而言，但这是出于说明目的，本领域技 术人员将会理解，本文的描述还应用在本领域技术人员已知的其他类 型基片。在光刻期间，晶片放置在晶片台上，通过处在光刻设备内的曝光 光学装置，将图像投射到晶片表面，将晶片曝光。尽管在光刻情形中 使用了曝光光学装置，还可依据具体应用使用不同类型的曝光装置。例如，x射线，离子，电子，或光子光刻均可需用不同的曝光装置，这已为本领域技术人员所熟知。在此，仅出于说明目的，讨论光刻的 具体示例。所投射的图像引起沉积在晶片表面上的层(例如，光刻胶)的特 征变化。在曝光期间，这些变化与投射到晶片上的特征相对应。曝光 之后，可对层进行刻蚀，以产生形成图案的层。图案与曝光期间投射 到晶片上的那些特征相对应。然后，使用此形成图案的层，去除或进 一步处理在晶片内部底层结构(诸如导电、半导体、或绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在无掩模光刻中控制剂量的方法，包括如下步骤：　测量来自ＳＬＭ的一系列脉冲中每个脉冲中所传递的剂量；　基于测量步骤计算剂量差错；　基于剂量差错计算校正覆盖剂量；和　利用最后一组ＳＬＭ来应用校正覆盖剂量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阿诺布里克，温斯莱奥A切布海尔，贾森D亨特斯坦，安德鲁W麦卡罗，所罗门S沃瑟曼，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]