晶圆水平度较准装置及半导体机台制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶圆水平度较准装置，包括晶圆测距传感器，用于测量晶圆水平面至另一平面的竖直距离；数据处理控制器，用于接收所述晶圆测距传感器测得的数据信息并计算补偿值，得到一个校正后坐标；距离较准装置，用于接收所述数据处理控制模块的较准后坐标，并发送测距请求至所述晶圆测距传感器。本实用新型专利技术提供的晶圆水平度较准装置通过使用激光测距和自动校准技术，解决快速热处理尖峰退火程序工艺中产生的晶圆水平度不够的问题，改善该工艺电化学性能以及晶圆与晶圆之间的均一性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆水平度较准装置及半导体机台


[0001]本技术是有关半导体制造设备，特别涉及一种晶圆水平度较准装置。本技术还公开了一种半导体机台。

技术介绍

[0002]RTP Spike Anneal Process(Rapid Thermal Process Spike Anneal快速热处理尖峰退火程序，即在退火的过程中，温度升高到设定的顶点后马上就开始降温的快速热处理)用于激活S/D implant元素，形成超浅结。
[0003]由于一般的高温热退火需要的时间较长，而RTP Spike Anneal Process则是采用单片晶片生产方式，如果也用那么高的温度和那么长的时间来进行大量生产是完全不现实的。因此RTP Spike Anneal Process退火时间非常短，通常小于1.5S，因此对机台要求相对较高，晶圆与晶圆之间的均一性也较难做好。
[0004]Spike Anneal工艺由于加热时间短，对机台的要求相对更加严格。理论来说，加热时晶圆不同位置与灯泡的距离应当相等，保证加热的均匀性。在机台PM或运行时，可能存在多种情况导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆水平度较准装置，其特征在于，包括：晶圆测距传感器，用于测量晶圆水平面至另一平面的竖直距离；数据处理控制器，用于接收所述晶圆测距传感器测得的数据信息并计算补偿值，得到一个校正后坐标；距离较准装置，用于接收所述数据处理控制模块的较准后坐标，并发送测距请求至所述晶圆测距传感器。2.根据权利要求1所述的晶圆水平度较准装置，其特征在于，所述晶圆测距传感器为激光测距传感器。3.根据权利要求1所述的晶圆水平度较准装置，其特征在于，所述晶圆测距传感器为红外线测距传感器。4.根据权利要求1所述的晶圆水平度较准装置，其特征在于，所述晶圆测距传感器设置在承载所述晶圆的机台光源外侧。5.根据权利要求4所述的晶圆水平度较准装置，其特征在于，所述晶圆测距...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鸿武，李赟佳，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：