半穿透半反射液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种半穿透半反射液晶显示面板，包括第一基板、第二基板与多个以阵列排列方式设置在该第一基板与该第二基板之间的像素，其中各像素均具有至少一个反射区与至少一个穿透区，且各像素都包括设置在该第一基板上并位于该反射区与该穿透区的彩色滤光层，至少一个设置在该彩色滤光层与该第一基板之间并位于该反射区的第一反射层，至少一个位于该反射区的开关元件，以及至少一个第二反射层，位于该反射区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半穿透半反射液晶显示面板(trans-flective liquid crystaldisplay)，特别是涉及一种整合开关元件和彩色滤光层于同一基板的半穿透半反射液晶显示面板。
技术介绍
由于厚度薄、重量轻及省电的特点，液晶显示器(LCD)已普遍用于可携式个人计算机、数字相机、投影机等电子产品上。而为了让电子产品能有更广泛的使用，且不受限于使用环境，目前已进一步发展出具有双重工作模式的半穿透半反射液晶显示面板，使其在反射模式时可利用外界环境光源工作，而在穿透模式时则利用内建背光源工作。一般而言，半穿透半反射液晶显示面板包括两个具有电极的彩色滤光片基板、阵列基板以及设置在彩色滤光片基板与阵列基板之间的液晶层。阵列基板表面形成有用于当作开关元件的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)，此薄膜晶体管具有连接到扫描线(scan line，SL)上的栅极电极、连接到数据线(data line，DL)上的源极电极以及连接到像素电极上的漏极电极，其中像素电极包括用以形成反射区的反射电极与用以形成穿透区的透明电极；而彩色滤光片基板表面则设置有遮光层、用以显现出红蓝绿等色彩的彩色滤光膜层以及覆盖在遮光层与彩色滤光膜层表面上的透明共享电极层。然而随着液晶显示面板的分辨率逐渐提高，彩色滤光片基板与阵列基板之间的对准贴合也必须更为精确，否则会严重影响制造的合格率与产量。因为当基板间的对准产生偏移时，便容易造成原本像素区所应呈现的对应色彩会被其它跨越的色彩影响，而呈现出些许其它颜色的混色状况，甚至产生漏光现象。为解决上述问题，目前技术提出的作法为在完成前述阵列基板配置后，将红、蓝、绿等色彩的彩色滤光膜层直接形成在像素结构上。但是，本领域技术人员都明白，在阵列基板成品上接着进行彩色滤光膜层制造工艺时，若彩色滤光膜层制造工艺有不良状况发生时，将无法有效去除不良彩色滤光膜层，因为所使用的溶剂将会影响已形成在阵列基板上的元件与薄膜层。因此，这种作法面临无法返工的问题，无疑将浪费许多阵列基板成品，增加成本。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的是提供一种半穿透半反射液晶显示面板，其可避免液晶显示面板在对位贴合时，因位置偏移所产生的混色及漏光现象。本专利技术的另一目的是提供一种半穿透半反射液晶显示面板，其可以提高加工合格率，降低成本。本专利技术的又一目的是提供一种半穿透半反射液晶显示面板，其可增加反射率的功效。根据上述与其它目的，本专利技术提出一种液晶显示面板，具有多个像素，且各像素具有至少一个反射区与至少一个穿透区，其中各像素包括第一基板；彩色滤光层，设置在第一基板上，且位于反射区与穿透区；第一反射层，设置在彩色滤光层与第一基板之间，且位于反射区；至少一个开关元件，位于反射区；第二反射层，位于反射区；第二基板，相对第一基板配置；以及液晶层，设置在第一基与第二基板之间。本专利技术的半穿透半反射液晶显示面板，是在基板上先完成彩色滤光膜制造工艺后，再进行薄膜晶体管制造工艺。这样，如果彩色滤光膜发生不良情况，便可以进行返工工程，并且将彩色滤光膜与薄膜晶体管整合于同一基板上，还可解决两基板间对位误差的问题。此外，将反射层设置在反射区的彩色滤光膜上，使部分反射光并未经过彩色滤光膜，故此部分反射光亮度较高因而提升反射率。附图说明图1表示本专利技术第一实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的上视图。图2为图1的A-A’切线剖面图。图3表示本专利技术第二实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的上视图。图4表示本专利技术第三实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图5表示本专利技术第五实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图6表示本专利技术第六实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图7表示本专利技术第七实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图8表示本专利技术第八实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图9表示本专利技术第九实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图10表示本专利技术第十实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。图11表示本专利技术第十一实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的局部剖面示意图。简单符号说明100、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100像素102下基板103上基板104液晶层105、108透明基板106共享电极 112彩色滤光层110、310、410第一反射层 1R反射区1T穿透区 114第一平坦层116开关元件 DL数据线SL扫描线 118栅极电极120栅极绝缘层122半导体层124源极电极 126漏极电极128保护层130像素电极132电容元件 134下电极136上电极402绝缘层502遮光层602散射层702第二平坦层802反射电极 910防护层具体实施方式<第一实施例> 请参考图1与图2，图1表示本专利技术第一实施例的半穿透半反射液晶显示面板像素的上视图，图2为图1的A-A’切线剖面图。本专利技术的半穿透半反射液晶显示面板像素100包括下基板102、上基板103与液晶层104。上基板103包括透明基板105与共享电极106的设计例如垂直配向液晶显示面板或多区域垂直配向液晶显示器(MVA-LCD)等，其中共享电极106并非必须设置在透明基板105上，共享电极106也可因设计需求例如平面切换型液晶显示面板(IPS-LCD)而设置在下基板102上。下基板102包括透明基板108，其上设置有彩色滤光层112，其中在彩色滤光层112与透明基板108之间，部分区域设置有第一反射层110用以构成反射区1R，用于反射外界的环境光源，例如白光，且此环境光源会受到彩色滤光层112的作用而形成彩色光，而其余部分则构成穿透区1T，用于让背光模块(未示出)的光源穿透彩色滤光层112以形成彩色光。此外，下基板102包括覆盖在彩色滤光层112上的第一平坦层114，而开关元件116(例如是薄膜晶体管TFT)与电容元件132(Cs)设置在第一平坦层114上且位于反射区1R。其中，开关元件116又包括连接到扫描线(SL)上的栅极电极118、栅极绝缘层120、半导体层122、连接到数据线(DL)上的源极电极124、连接像素电极130的漏极电极126和保护层128。电容元件132(Cs)包括下电极134与上电极136，如图1所示，上电极136可为漏极电极126的延伸部，但上电极136并非局限于此形态。再者，薄膜晶体管(TFT)结构包含顶栅型或底栅型，且薄膜晶体管(TFT)包含N型或P型。半导体层122的材料包含单晶硅、非晶硅、多晶硅、微晶硅或上述的组合。栅极绝缘层120、第一平坦层114及保护层128的材料相同或不相同，且其材料包含有机材料、无机材料或上述的组合，有机材料包含有机硅化合物、光致抗蚀剂、聚环氧乙烷、聚甲基丙酰酸甲酯、聚酯类、聚乙烯化合物或类似的材料，无机化合物包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅或上述之组合。本专利技术的实施例以底栅型的薄膜晶体管(TFT)结构和半导体层122的材料为非晶硅为范例。如图2所示，由于彩色滤光层112先形成在透明基板108上，故当彩色滤光层112具有杂质或因各种制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半穿透半反射液晶显示面板，包括：　　　　第一基板；　　　　第二基板，相对所述第一基板配置；　　　　液晶层，设置在所述第一基与所述第二基板之间；以及　　　　多个像素，以阵列排列方式设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中各所述像素具有反射区与穿透区，且各所述像素包括：　　　　彩色滤光层，设置在所述第一基板上，且位于所述反射区与所述穿透区；　　　　第一反射层，设置在所述彩色滤光层与所述第一基板之间，且位于所述反射区；　　　　至少一个开关元件，位于所述反射区；以及　　　　第二反射层，位于所述反射区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡至仁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]