一种半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、位于衬底上的堆叠结构，穿过堆叠结构的栅极隔槽结构，其中，所述栅极隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面。由于半导体器件中的栅极隔槽结构通常由刻蚀工艺制作，且具有较大的深宽比，栅极隔槽结构侧壁受到材料应力的作用垂直于栅极隔槽结构侧壁所在的表面，曲面的栅极隔槽结构侧壁，使得栅极隔槽结构侧壁受到的应力方向具有多个，从而避免直线型栅极隔槽结构侧壁受到单一方向应力，出现栅极隔槽结构变形或倾斜、扭曲等问题，导致后续在填充金属过程中，出现金属填充不到位导致出现断路的问题，进而导致半导体器件失效的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
三维存储器(3DNAND)是一种新兴的存储器类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。不同于将存储芯片放置在单面，3DNAND技术垂直堆叠了多层数据存储单元。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。在半导体器件制作过程中，容易出现器件失效的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体器件，以解决现有技术中器件容易出现失效的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介电层；穿过所述堆叠结构的栅极隔槽结构，所述栅极隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面。优选地，所述侧壁包括沿栅极隔槽结构的延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介电层；/n穿过所述堆叠结构的栅极隔槽结构，所述栅极隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介电层；
穿过所述堆叠结构的栅极隔槽结构，所述栅极隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述侧壁包括沿栅极隔槽结构的延伸方向首尾相连的若干子侧壁，相邻的两个所述子侧壁不共面。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述子侧壁在所述衬底上的正投影为弧形。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述侧壁在所述衬底上的正投影为波浪形，所述侧壁包括沿栅极隔槽结构的延伸方向首尾相连的凹面和凸面。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括穿过所述堆叠结构的若干沟道结构，至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆聪，郭芳芳，卢绍祥，曾森茂，李昀朋，郝蓓，李俊文，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42