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本申请提供一种半导体器件，包括衬底、位于衬底上的堆叠结构，穿过堆叠结构的栅极隔槽结构，其中，所述栅极隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面。由于半导体器件中的栅极隔槽结构通常由刻蚀工艺制作，且具有较大的深宽比，栅极隔槽结构侧壁受到材料应力的作用垂...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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