光检测器制造技术

本发明专利技术实现一种不需要检查用的追加回路而在波长和温度依赖特性中也能进行光检测器单独的光灵敏度、OE特性这样的光输入、电输出的特性评价检查的光检测器。一种光检测器(400)，在半导体基板之上形成有光吸收层(414和415)，对从半导体基板的基板面内的方向入射到所述光吸收层(414和415)的信号光进行检测，光检测器(400)的特征在于，光吸收层(414和415)具有在从基板面外的方向观察半导体基板的基板面时，不被连接于光吸收层(414和415)的光电流检测用的电极(417)覆盖的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测器
本专利技术涉及一种在光通信系统、光信息处理系统中使用的光检测器，特别涉及用于提供使制造时的初始检查变得容易的光检测器的构造。
技术介绍
伴随着近年来的光通信的普及，要求光通信装置的低成本化。作为其解决方案之一，存在使用硅光子技术这样的微小光回路技术在硅片等大口径晶片上形成构成光通信装置的光回路的方法。由此，能一并形成许多光回路的芯片，能大幅降低每个芯片的材料费，从而谋求光通信装置的低成本化。作为使用了这样的技术的形成于硅(Si)基板上的代表性的光检测器，例如有可单片集成的半导体型的锗光检测器(GePD)。图1是示意性地表示作为以往的半导体型的光检测器的一个例子的波导结合型的纵型GePD100的芯片构造的俯视图。图2是图1的II－II面(与光行进方向垂直的面)的剖视图。为了容易理解构造，在图1的俯视图中，省略了图2的剖视图所示的包覆层101～103等的表示，对于电极116～118，仅示出了与芯片内部的半导体区域112、113、115接触的部分的平面区域。GePD100使用光刻技术等形成于包含Si基板、Si氧化膜、表面Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测器，在半导体基板之上形成有光吸收层，对从所述半导体基板的基板面内的方向入射到所述光吸收层的信号光进行检测，所述光检测器的特征在于，/n所述光吸收层具有在从基板面外的方向观察所述半导体基板的基板面时不被连接于所述光吸收层的光电流检测用的电极覆盖的区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180521 JP 2018-0972111.一种光检测器，在半导体基板之上形成有光吸收层，对从所述半导体基板的基板面内的方向入射到所述光吸收层的信号光进行检测，所述光检测器的特征在于，
所述光吸收层具有在从基板面外的方向观察所述半导体基板的基板面时不被连接于所述光吸收层的光电流检测用的电极覆盖的区域。


2.根据权利要求1所述的光检测器，其特征在于，
所述半导体基板具备：
硅基板；
下部包覆层，形成于所述硅基板之上；
硅芯层，形成于所述下部包覆层之上，包含第一半导体区域；以及
输入波导，连接于所述硅芯层，将检测对象的所述信号光从基板面内的方向向所述硅芯层进行导波，
所述光吸收层具备锗层，该锗层形成于所述硅芯层之上，包含第二半导体区域，
所述光电流检测用的电极连接于所述第二半导体区域的一部分。


3.根据权利要求2所述的光检测器，其特征在于，
所述光电流检测用的电极被配置为覆盖所述第二半导体区域的上表面的全部或一部分的边、不覆盖上表面的中心部周边的面的平面形状。


4.根据权利要求2所述的光检测器，其特征在于，
所述光电流检测用的电极呈梯子型或具有多个开口的平面形状。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的光检测器，其特征在于，
所述光电流检测用的电极设于在入射到所述锗层的光在所述锗层中传输时在所述光电流检测用的电极的附近不产生反射的位置。


6.一种光回路，其是具有偏振分离/合流回路以及在TM偏光与TE偏光之间进行偏振旋转的偏振旋转回路的偏振分集构成的光回路，所述光回路的特征在于，具备：
光监控回路，从主信号路径分支并接收一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田浩太郎，那须悠介，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP