背面入射型半导体光检测元件制造技术

半导体基板(11)具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)。半导体基板(11)具有：第一导电类型的第一半导体区域(13)；和与第一半导体区域(13)构成pn结的第二导电类型的多个第二半导体区域(15)。半导体基板(11)在第二主面(11b)侧具备多个第二半导体区域(15)。多个第二半导体区域(15)分别具有：具有纹理表面(TS)的第一区域(17)；和配置有凸块电极(35)的第二区域(19)。纹理表面(TS)的凹陷的最深位置处的第一区域(17)的厚度(TH1)小于半导体基板(11)的厚度方向上的、第二区域(19)的表面与最深位置的间隔(D1)。第一主面(11a)为对半导体基板(11)的光入射面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面入射型半导体光检测元件
本专利技术涉及背面入射型半导体光检测元件。
技术介绍
已知具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板的背面入射型半导体光检测元件(例如，参照专利文献1和2)。专利文献2所记载的背面入射型半导体光检测元件中，半导体基板具有第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的多个第二半导体区域。半导体基板在第二主面侧具备多个第二半导体区域。各第二半导体区域与第一半导体区域构成pn结。第一主面是对半导体基板的光入射面。多个第二半导体区域具有纹理表面。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2012/0313204号说明书专利文献2：日本特开2011-023417号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术的一个方式的目的在于，提供使长波长区域上的分光灵敏度特性进一步提高的背面入射型半导体光检测元件。长波长区域例如为近红外的波长区域。解决问题的技术手段本专利技术的一个方式所涉及的背面入射型半导体光检测元件具备具有彼此相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：/n具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板，/n所述半导体基板具有：第一导电类型的第一半导体区域；和第二导电类型的多个第二半导体区域，其设置于所述第二主面侧，并且与所述第一半导体区域构成pn结，/n所述多个第二半导体区域分别具有：具有纹理表面的第一区域；和不具有纹理表面的第二区域，/n所述纹理表面的凹陷的最深位置处的所述第一区域的厚度小于所述半导体基板的厚度方向上的、所述第二区域的表面与所述最深位置的间隔，/n所述第一主面为对所述半导体基板的光入射面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180416 JP 2018-0786421.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：
具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板，
所述半导体基板具有：第一导电类型的第一半导体区域；和第二导电类型的多个第二半导体区域，其设置于所述第二主面侧，并且与所述第一半导体区域构成pn结，
所述多个第二半导体区域分别具有：具有纹理表面的第一区域；和不具有纹理表面的第二区域，
所述纹理表面的凹陷的最深位置处的所述第一区域的厚度小于所述半导体基板的厚度方向上的、所述第二区域的表面与所述最深位置的间隔，
所述第一主面为对所述半导体基板的光入射面。


2.如权利要求1所述的背面入射型半导体光检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：田口智也，吉田侑生，柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP