光半导体元件制造技术

具有台面部的光半导体元件(100)具备基板(1)和设置在基板1上的半导体层(2，3，4)。光半导体元件(100)进一步具备第1接触电极(5)、设置在半导体层上的第2接触电极(6)、与第1接触电极(5)连接的第1引出配线(7)、与第2接触电极(6)连接的第2引出配线(8)以及设置为至少覆盖半导体层的上表面和第2接触电极(6)的绝缘膜(9)。第2引出配线(8)介由绝缘膜(9)的开口(9a)与第2接触电极(6)连接。至少连接第2接触电极(6)与第2引出配线(8)的部分的第2接触电极(6)的外周端位于比与半导体层的连接部分的外周端更靠上方且外侧，内周端位于比与半导体层的连接部分的内周端更靠上方且内侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体元件
本专利技术涉及一种光半导体元件，特别是涉及一种具有台面部的光半导体元件。
技术介绍
已知有具有台面型的受光部的光半导体元件。作为这样的光半导体元件之一，在专利文献1中记载了一种光半导体元件，其具有将台面部的表面整体用设置有开口部的绝缘膜被覆，在开口部配置有P型电极和N型电极的结构。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012－253138号公报
技术实现思路
然而，专利文献1中记载的光半导体元件存在水分容易从P型电极与绝缘膜之间和N型电极与绝缘膜之间侵入半导体层的内部的问题。本专利技术解决上述课题，其目的在于提供一种能够抑制水分从电极与绝缘膜的界面侵入的光半导体元件。本专利技术的光半导体元件的特征在于，是具有具备透光面的台面部的光半导体元件，具备：基板，半导体层，其设置在上述基板上，构成台面部，第1接触电极，其与上述半导体层相接而设置，第2接触电极，其以包围上述透光面这样的方式设置在上述半导体层上，<br>第1引出配线，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光半导体元件，其特征在于，是具有透光面的光半导体元件，具备：/n基板，/n半导体层，其设置在所述基板上，构成台面部，/n第1接触电极，其与所述半导体层相接而设置，/n第2接触电极，其以包围所述透光面的方式设置在所述半导体层上，/n第1引出配线，其与所述第1接触电极连接，/n第2引出配线，其与所述第2接触电极的上表面连接，以及/n绝缘膜，其被设置为至少覆盖所述半导体层的上表面和所述第2接触电极；/n在所述第2接触电极的上表面，在所述绝缘膜设置有开口，在所述开口连接所述第2接触电极和所述第2引出配线，/n至少连接所述第2接触电极与所述第2引出配线的部分的所述第2接触电极的外周端位于比所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180406 JP 2018-0742471.一种光半导体元件，其特征在于，是具有透光面的光半导体元件，具备：
基板，
半导体层，其设置在所述基板上，构成台面部，
第1接触电极，其与所述半导体层相接而设置，
第2接触电极，其以包围所述透光面的方式设置在所述半导体层上，
第1引出配线，其与所述第1接触电极连接，
第2引出配线，其与所述第2接触电极的上表面连接，以及
绝缘膜，其被设置为至少覆盖所述半导体层的上表面和所述第2接触电极；
在所述第2接触电极的上表面，在所述绝缘膜设置有开口，在所述开口连接所述第2接触电极和所述第2引出配线，
至少连接所述第2接触电极与所述第2引出配线的部分的所述第2接触电极的外周端位于比所述第2接触电极与所述半导体层的连接部分的外周端更靠上方且外侧，所述第2接触电极的内周端位于比所述第2接触电极与所述半导体层的连接部分的内周端更靠上方且内侧。


2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，所述第2接触电极具有在俯视图中包围所述透光面的环绕状的形状，
在所述环绕状的所有部分，所述第2接触电极的外周端位于比所述第2接触电极与所述半导体层的连接部分的外周端更靠上方且外侧，所述第2接触电极的内周端位于比所述第2接触电极与所述半导体层的连接部分的内周端更靠上方且内侧。


3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件，其特征在于，所述台面部的外周端位于比所述第2接触电极的外周端更靠外侧。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其特征在于，所述第2接触电极具备与所述半导体层相接的接触金属层、设置在所述接触金属层上的阻挡金属层、以及设置在所述阻挡金属层上且电阻比所述接触金属层和所述阻挡金属层低的低电阻金属层。


5.根据权利要求4所述的光半导体元件，其特征在于，所述接触金属层由Ti和Cr中的任一者构成，所述阻挡金属层由Pt构成，所述低电阻金属层由Au构成。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤本贤治，姫田高志，多田敏博，鸟塚哲郎，镝木新治，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP