放射线检测元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极间的绝缘不充分引起的性能不良。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放射线检测元件及其制造方法
本专利技术涉及一种使用包含碲化镉(CdTe)或碲化锌镉(CdZnTe)的化合物半导体晶体的放射线检测元件。
技术介绍
作为II族(2B族)元素的镉(Cd)和作为VI族(6B族)元素的碲(Te)的II－VI族化合物即碲化镉(CdTe)的晶体材料是具有较大的带隙(～1.44eV)的结晶性化合物半导体材料。此外，也包括通过将CdTe的Cd的一部分用作为同族元素的Zn置换而进一步增大了带隙的碲化锌镉(CdZnTe)在内，CdTe系化合物半导体晶体材料适合用于太阳电池、电光调制器、红外窗口等光学元件；暗视场摄像机(Darkfieldcamera)、红外望远镜等红外检测器；X射线照片、X射线计算机体层摄影(CT)、环境放射线测量仪等放射线检测器这样的广泛的用途。其中，在放射线检测器用途中，对电阻率高的绝缘性的CdTe系晶体施加高偏压，通过放射线入射至晶体材料时产生的(内部)光电效应将放射线的入射转变为电流的信号，由此能电检测放射线。就是说，成为放射线检测器中感测放射线的主要部分的放射线检测元件至少由CdTe系晶体材料和用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线检测元件，其特征在于，/n在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和电极间的绝缘部，/n在所述多个电极部与基板之间存在包含碲的氧化物的中间层，/n在距离所述电极间的绝缘部的端部500nm内侧，碲氧化物层的厚度为100nm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-0641231.一种放射线检测元件，其特征在于，
在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和电极间的绝缘部，
在所述多个电极部与基板之间存在包含碲的氧化物的中间层，
在距离所述电极间的绝缘部的端部500nm内侧，碲氧化物层的厚度为100nm以下。


2.根据权利要求1所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述电极间的绝缘部的宽度为100μm以下。


3.根据权利要求1或2所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述电极间的绝缘部是包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述电极部由薄膜构成，所述薄膜包含铂、金、或包含铂和金中的至少一方的合金。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的放射线检测元件，其特征在于，
在与所述基板的表面垂直的剖面中，所述电极部为凹状的形状，所述电极间的绝缘部为凸状的形状。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的放射线检测元件，其特征在于，
在所述化合物半导体晶体是碲化锌镉晶体Cd1-xZnxTe的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田浩平，村上幸司，野田朗，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP